Автор работы: Пользователь скрыл имя, 19 Сентября 2013 в 22:00, курсовая работа
Главной отличительной особенностью кристаллических твердых тел является периодическое расположение в пространстве их атомов, образующих пространственную трехмерную кристаллическую решетку. С периодическим расположением атомов связана и естественная огранка кристаллов. Анизотропное расположение атомов в кристаллической решетке объясняет анизотропию многих физических свойств твердых тел широко используемую в технике. Тепловые свойства кристалла вытекают из анализа колебаний его кристаллической решетки. Рассмотрение движения электронов в периодическом потенциале кристаллической решетки объясняет электрические свойства кристаллов. На атомах кристаллической решетки наблюдается дифракция всех частиц, движущихся внутри кристалла или попавших в него извне: электронов, фотонов, нейтронов.
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Кристаллическая решетка
1.1. Описание структуры кристаллов
1.2. Физические механизмы образования кристаллов
1.3. Дифракция излучения и частиц на кристаллической решетке
ГЛАВА 2. Дефекты кристаллической решетки
2.1. Точечные дефекты
2.2. Линейные дефекты - дислокации
2.3. Поверхностные и объемные дефекты
ГЛАВА 3. Тепловые свойства кристаллов
3.1. Методы экспериментального изучения фононов
3.2. Колебания атомов в кристаллической решетке
3.3. Теплоемкость кристаллов
3.4. Ангармоническое приближение
ГЛАВА 4. Электрические свойства кристаллов
4.1. Электронные состояния в твердых телах
4.2. Диэлектрики полупроводники и проводники
4.3. Электропроводность проводников
4.4. Электропроводность полупроводников
4.5. Полупроводниковый p-n- переход
ГЛАВА 5. Магнитные свойства твердых тел
5.1. Природа магнитного упорядочения
5.2. Типы магнитного упорядочения
5.3. Температура Кюри. Теория среднего поля
5.4. Спиновые волны и магнитный вклад в теплоемкость
5.5. Домены, механизмы перемагничивания и магнитные свойства
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Аналогичные выражения можно получить и для двух других сумм. Интенсивность равная произведению на комплексно сопряженную с ней величину после преобразований примет вид:
(1.12)
максимальна и равна , если одновременно выполняются соотношения:
(1.13)
где - целые числа. Также интенсивность заметно отличается от нуля при условии, что величины отличаются от целых чисел не более чем на соответственно.
Соотношения (1.13) очень
неудобны для анализа, между
тем им можно придать очень
наглядный, геометрический
Обратная решетка. Векторы основных трансляций обратной решетки определяются так:
(1.14)
Можно проверить, что выполняются соотношения:
(1.15)
Можно показать (см. задачу 1.4), что вектор перпендикулярен векторам и , а модуль вектора равен , где - межплоскостное расстояние для кристаллографических плоскостей, построенных на векторах и . Аналогичные соотношения справедливы для и .
Примечание. Заметим, что определенные выше векторы обратной решетки соответствуют векторам определяемого в аналитической геометрии взаимного базиса, но их длина в раз больше. Отметим также, что векторы обратной решетки определены у нас как во многих учебниках по теории твердого тела, что обеспечивает удобство при рассмотрении движения частиц в кристалле. В учебниках по теории дифракции их определяют в точности как векторы взаимного базиса в геометрии, что позволяет исключить в во многих соотношениях теории дифракции множители .
Как и в случае кристаллической решетки концы векторов всевозможных трансляций , построенных на трех векторах обратной решетки, образуют также пространственную решетку, называемую обратной решеткой.
Обратную решетку можно
Найдем обратную решетку для
кристалла с ромбической
(1.16)
Видно, что самой
длинной стороне ромбической
ячейки будет соответствовать
самая короткая сторона ячейки
в обратной решетке.
Можно показать (см. задачи
1.6, 1.7), что векторы обратной
решетки в случае
Вернемся к поиску векторов , удовлетворяющих условию дифракции (1.13). Теперь им можно придать наглядный геометрический смысл. Пусть вектор разложен по :
. (1.17)
Тогда, подставляя (1.17) в (1.13) и учитывая соотношения (1.15), получаем условия максимумов дифракции: , где - целые числа
Видно, что наблюдается максимум дифракции, если числа - целые, то есть, если вектор совпадает с одним из векторов трансляций обратной решетки.
Можно сказать, что
обратная решетка отображает
дифракционную картину от
Обратная решетка
жестко связана с
Построение Эвальда.
Для предсказания углов
Рис. 1.14.
Построение Эвальда.
Отложим волновой вектор падающей на кристалл волны, так что его конец совпадет с узлом 0 0 0 обратной решетки. Поскольку частота и скорость рассеянной и падающей волны совпадают, вектор рассеянной волны будет иметь ту же длину, что и , но неопределенное направление, тогда его удобно изобразить в виде сферы (сферы Эвальда) с центром в начале вектора . Начало и конец вектора рассеяния тогда будет соответственно концом вектора и концом вектора. Теперь надо узнать, совпадет ли один из возможных векторов с одним из узлов обратной решетки. Для этого следует совместить начальный узел обратной решетки с началом вектора рассеяния (эта же точка - конец вектора ) и посмотреть, попал ли один из узлов на сферу Эвальда. Ясно, что вероятность попадания одного из точечных узлов на сферу практически равна нулю, чтобы такое попадание имело место, необходимо повернуть кристалл и связанную с ним обратную решетку. Теперь уже с помощью геометрии можно вычислить необходимые углы поворота обратной решетки (и кристалла), а затем определить, под какими углами должен быть расположен детектор излучения, регистрирующий волны с вектором . Современные приборы для наблюдения дифракции - дифрактометры, снабженные ЭВМ, позволяют в автоматическом режиме, по формулам, описывающим повороты обратной решетки, вычислять нужные углы поворота кристалла и детектора излучения для заранее сориентированного кристалла, а затем поворачивать кристалл и детектор.
На рис. 1.14 видно, что между длинами векторов и существует связь:
, (1.18)
где - известный [1,9,10] угол скольжения рентгеновских лучей. Учитывая, что (, а получаем известное уравнение Вульфа-Брегга:
.
В этом уравнении
содержит порядок отражения,
Обратная решетка поликристалла. Поликристаллический материал, как отмечалось в разд 1.1, состоит из очень большого числа произвольно ориентированных маленьких кристаллических зерен. Каждому такому зерну будет соответствовать своя обратная решетка. Обратные решетки, отвечающие разным зернам, будут иметь одинаковые периоды и идентичное расположение узлов, но будут произвольным образом ориентированы относительно узла обратной решетки. В таком случае узлу обратной решетки будет соответствовать большое количество узлов (по числу кристаллических зерен), расположенных по поверхности сферы радиуса в обратном пространстве. В случае идеального поликристалла, содержащего бесконечное число случайно ориентированных зерен можно считать что узел обратной решетки превратится в сферу. Набору же всех узлов обратной решетки будет соответствовать набор таких сфер со значениями радиусов , образующих последовательность в соответствии со значениями межплоскостных расстояний кристалла. На построении Эвальда (см. рис. 1.14) в таком случае сфера Эвальда будет пересекать набор сфер по некоторым окружностям. Тогда очевидно, что дифракция от такого поликристалла окажется возможной при любой ориентации поликристалла и при любой длине волны излучения. Для наблюдения дифракции от поликристаллического образца необходимо использовать монохроматическое излучение. Подробно методики исследования поликристаллических образцов изложены в литературе по рентгеновским методам исследования [2,8,10,11].
Зоны Бриллюэна. Полезно найти множество всех волновых векторов волн и частиц, отвечающих условию дифракции на кристалле. Уравнение (1.18) можно переписать как:
. (1.20)
Последнее есть уравнение
(относительно ) для плоскости
Структурный фактор базиса. До сих пор мы рассматривали дифракцию на кристаллической решетке, считая каждый ее узел одним точечным рассеивающим центром. С каждым таким центром обычно связаны несколько идентично расположенных атомов, называемых базисом кристаллической решетки. Волны, рассеянные на разных атомах базиса будут складываться с разными фазами в зависимости от положения атома. Схема учета вкладов в амплитуду вектора дифрагированного луча такая же как и при расчете дифракционной картины трехмерного кристалла, только суммирование надо будет проводить по всем атомам базиса, а не узлам кристаллической решетки.
Пусть базис содержит
несколько атомов. Обозначим за
номер одного из них, а через
- его радиус вектор
. (1.21)
Вклад от всех атомов базиса тогда выражается суммой по индексу :
. (1.22)
Учитывая, что и , а также соотношения (1.15) получаем:
. (1.23)
Величину принято
называть структурным фактором
базиса данного кристалла или
же структурным фактором
Вычислим структурный фактор ОЦК решетки. Если за элементарную ячейку принять куб (см. рис. 1.1), то базис будет состоять из двух атомов с координатами и 1/2; 1/2; 1/2, и структурный фактор для узла с индексами обратной решетки, вычисленный по формуле (1.23), окажется равным:
. (1.24)
Видно, что равен нулю, если сумма индексов - нечетная и равен 2, если сумма индексов четная. Если теперь в обратной решетке отметить кружочками узлы с ненулевым структурным фактором, то кружочки расположатся в обратном пространстве как узлы ГЦК решетки (рис. 1.15).
Рис. 1.15.
Расположение узлов обратной решетки для ОЦК решетки и структур типа CsCl
Для узлов, отмеченных светлыми кружочками на рис. 1.15, дифракции не наблюдается, так как волны, рассеянные атомами расположенными в центре кубической ячейки, будут в противофазе с волнами, рассеянными атомами расположенными в углах ячейки. Это просто объяснить с помощью рис. 1.16 . На нем изображена плоскость (100) ОЦК ячейки, обозначенная как А. Видно, что параллельно ей можно провести плоскость (200), обозначенную как В, на которой будет расположено столько же атомов. Получается, что плоскости аналогичные (100) расположены как бы в два раза "гуще". Волны отраженные от плоскостей типа А при отсутствии вложенных плоскостей В усиливают друг друга, но появление плоскостей В приведет к появлению отраженной от них волны той же амплитуды, но сдвинутой по фазе на относительно волн отраженных от плоскости А. Сумма же вкладов в амплитуду дифрагированной волны от плоскостей А и В окажется равной нулю. На рентгенограммах ОЦК решетки наблюдаются отражения от плоскостей типа (110), (200), (112), (220), (130), (222) и других с четной суммой индексов. Отсутствие на рентгенограммах отражений с нечетной суммой индексов - признак ОЦК решетки.
Рис. 1.16.
Отражение волн плоскостью (100) ОЦК решетки.
Рассмотрим теперь структуру типа цезий хлор (рис. 1.1), имеющую кубическую ячейку с базисом из двух атомов с координатами 000 - для и 1/2 1/2 1/2 - для . Ее структурный фактор, вычисляемый по формуле (1.23), окажется равным:
. (1.25)
Он не будет равен нулю ни при четной, ни при нечетной сумме индексов. В самом деле, теперь атомы расположенные в центре и по углам элементарной ячейки - разные, следовательно и рассеивают волны они по-разному . Структурный фактор окажется либо суммой, либо разностью неравных величин и . Если теперь рассмотреть, как в случае ОЦК решетки, плоскости типа А и В на рис. 1.16 , то видно, что они уже разные - содержат разные атомы и будут давать разный по величине вклад в амплитуду рассеяния или одного или противоположного знака. Сумма вкладов не будет равной нулю. Поэтому узлам обратной решетки с четной суммой индексов (когда вклады атомов хлора и цезия складываются), например (200), будут соответствовать сильные дифракционные максимумы (кружочки) а нечетной сумме индексов (когда вклады атомов хлора и цезия вычитаются), например (100), - слабые дифракционные максимумы. По расположению узлов в обратной решетке тогда можно определить период решетки, а по чередованию "ярких" и "слабых" узлов - определить положение атомов в базисе решетки.
Вычислим структурный фактор ГЦК решетки. Если за элементарную ячейку принять куб (см. рис. 1.7 и раздел 1.1), то базис будет состоять из 4 атомов, и структурный фактор для узла обратной решетки окажется равным:
. (1.26)
Он равен: , если все
индексы - четные числа; , если
все индексы - нечетные числа;
0, если среди индексов встречаютс
В случае более
сложных базисов структурный
фактор может быть и