Метод Чохральского в технологии выращивания монокристаллов кремния

Основной объем монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной промышленностью, выращивается по методу Чохральского. Фактически весь кремний, используемый для производства интегральных схем, производиться этим методом.
Кристаллы, выращенные этим методом обычно не содержат краевых дислокаций, но могут включать небольшие дислокационные петли, образующиеся при конденсации избыточных точечных дефектов. Кристаллический рост заключается в фазовом переходе из жидкого состояния в твердую фазу.
Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость-твердое тело.

Введение 4
1.Физические и химические свойства кремния 7
2.Методы выращивания монокристаллов из расплава 15
2.1. Метод Бриджмена 15
2.2. Метод Стокбаргера 17
2.3. Метод Чохральского 18
2.4. Метод Степанова 19
2.5. Метод Вернейля 20
2.6. Метод бестигельной зонной плавки 21
2.7. Метод Киропулоса 23
3. Методы выращивания монокристаллов из раствора 24
3.1. Высокотемпературный метод 24
3.2. Низкотемпературный метод 25
3.3. Гидротермальный метод 26
4. Методы выращивания из газообразного вещества 27
4.1 Метод кристаллизации 27
5. Характеристики метода 28
6. Параметры, влияющие на рост монокристаллического кремния 31
7. Легирование 32
8. Оборудование для роста кристаллов методом Чохральского 34
9. Технология процесса 40
Выводы 46
Список литературы 47