Ионно-плазменные процессы нанесения пленок

Барьерные слои с требуемыми свойствами на основе нитридов тугоплавких металлов (в основном Ti, Ta и Mo) осаждают по технологии РИПН, используя в качестве рабочего газа смесь Ar + N₂. Состав покрытия регулируют путем изменения парциального давления азота, размер зерен – путем изменения температуры подложки и ее потенциала. На удельное сопротивление нитридов сильное влияние оказывает чистота рабочего газа. Например, наличие кислорода до 1 % приводит к росту удельного сопротивления TiN на порядок. При отсутствии O₂ получены пленки TiN с удельным сопротивлением                 20–80 мкОм·см – более низким, чем у пленок Ti.

При осаждении диэлектрических  покрытий (например, оксидов в смеси Ar+O₂) они могут содержать «захваченный» заряд, оказывающий отрицательное влияние на стабильность и срок службы        МОП-приборов. Однако этот заряд можно эффективно устранить при помощи отжига диэлектрика в атмосфере азота при температуре      450 °С. Значительно снизить плотность дефектов диэлектрика (поры, сквозные проколы) можно как правильным выбором содержания O₂ в рабочем газе, так и подачей смещения на подложку.

Рассматривая применимость ИПН и РИПН в технологии СБИС, следует отметить, что их эффективность и потенциальные возможности пока еще далеко не раскрыты.

 

7.5. ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ

 

Технология ионно-лучевого осаждения (ИЛО) имеет две модификации. Первая основана на физическом распылении поверхности мишени ионным лучом инертного газа  автономного ионного источника (АИИ) и осаждении распыленного материала на подложку. Создается ионный луч с помощью АИИ. Вторая модификация сводится к прямому осаждению на подложку ионного луча, сформированного АИИ из требуемого материала покрытия. Прямое осаждение пленок из АИИ можно проводить только при малых энергиях осаждаемых частиц, поскольку с увеличением энергии начинается самораспыление. Это ограничивает плотность ионного тока, а следовательно, и возможности осаждения пленок на большие площади с требуемой скоростью. Тем не менее, имеются сведения о прямом осаждении эпитаксиальных пленок Si и Ge при энергиях ионов от 10 до 200 эВ. Процессы ИЛО реализуются в вакуумных камерах с давлением не больше        10^-2 Па для исключения рассеяния ионного луча на частицах остаточной атмосферы.

Осаждение пленок путем  распыления мишеней с помощью  АИИ по сравнению с термовакуумной технологией позволяет существенно улучшить свойства пленок, так как энергия осаждающихся частиц лежит в диапазоне от единиц до десятков эВ и не снижается в процессе получения пленок, поскольку процесс происходит в высоком вакууме. Для получения пленок оксидов или нитридов ионное распыление может быть реализовано в присутствии O₂ или N₂. Состав и структура таких пленок  изменяются в зависимости от концентрации реактивного газа и энергии осаждаемых частиц.

Технология ИЛО не нашла широкого применения в производстве СБИС. Основные причины – высокие радиационные повреждения подложки, низкие скорости осаждения из-за отсутствия сильноточных АИИ и значительно меньшая гибкость в управлении свойствами осаждаемых покрытий.

 

 

7.6. ОСНОВЫ  СПЕКТРОФОТОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ  ПАРАМЕТРОВ  ТОНКИХ  ПЛЕНОК

 

7.6.1. Интерференция света в тонких пленках

 

Интерференция происходит между лучами света, отраженными от верхней и нижней поверхностей пленки (рис. 1).

Рис. 1. Интерференция  равной толщины

 

В отраженном свете интерферируют лучи 1¢ и 2¢, в проходящем свете – лучи 1² и 2². Для первых двух разность хода возникает при движении фронта волны на пути ABC для луча 1¢ и от точки D до C для луча 2¢. Оптическая длина пути равна  
(AB + BC)n, где n – показатель преломления материала пленки. Разность хода определяется из уравнения

D=n(AB+BC)–CD=2nh cos r,    (1)

или

D=2h(n²–sin² i)^1/2.     (2)

Из опыта  и теории известно, что при отражении  света от границы среды с большим показателем преломления в среду с меньшим показателем преломления наблюдается дополнительный сдвиг (скачок) фазы, равный p, чему соответствует изменение разности хода лучей 1¢ и 2¢ на половину длины волны l/2; при этом максимумы будут наблюдаться в том случае, если разность хода будет равна нечетному числу полуволн:

D=2nh cos r=(2k+1)l/2.    (3)

В проходящем свете максимумы будут наблюдаться  при разности хода лучей, равной целому числу волн:

D=2nh cos r=kl.     (4)

В отраженном свете интерференционная картина  будет более контрастной, чем в проходящем, так как здесь интерферируют лучи равной интенсивности, а в минимумах – полное гашение света. От нижней поверхности, как и от верхней, отражается одинаковое количество падающего света (4–8%), а проходит около 90–85%. Поэтому в проходящем свете интерференция отраженного и прошедшего лучей различной интенсивности не дает в минимумах полного гашения.

 

7.6.2. Отражение света от прозрачной пленки на непоглащающей подложке

Однослойная пленка. Рассмотрим отражение света в системе, состоящей из двух прозрачных сред с показателями преломления n₁ и n₃, разделенных одним тонким слоем с показателем преломления n₂. Положим, что слой однородный, непоглощающий, изотропный, ограниченный параллельными плоскостями; толщина его h₂ соизмерима с длиной световой волны (рис. 1).

Рис. 1. Отражение света  от прозрачной пленки на непоглощающей  подложке

 

Плоская волна с амплитудой А = 1 (интенсивность I = 1) падает по нормали к поверхности границы раздела n₁/n₂. от которой частично отражается (луч 1).

Амплитуда отраженного  луча I равна

.      (5)

Луч II, вошедший в слой, отразившийся от второй границы раздела и вышедший обратно в первую среду, имеет амплитуду δ₁₂r₂₃δ₂₁e^-i∆2. Здесь r₁₂, r₂₃, δ₁₂, δ₂₃ – коэффициенты Френеля для двух границ раздела. После двукратного прохождения слоя лучом II, между лучами I и II появляется разность хода, равная 2n₂h₂. По фазе лучи I и II отличаются на величину , поскольку луч II дважды проходит слой. Луч III выходит в первую среду с амплитудой δ₁₂r₂₃r₂₃r₂₁δ₂₁e^-i2Δ2. Аналогично определяется амплитуда лучей IV и так далее.

Амплитуда результирующей отраженной волны получается суммированием бесконечного ряда: I+II+III+...

r₁₃ = r₁₂ + δ₁₂r₂₃δ₂₁e^-i∆2 + δ₁₂r₂₃r₂₃r₂₁δ₂₁e^-i2Δ2 +... .   (6)

Учитывая определения, данные в (5), имеем

.   (7)

Тогда

.

и так далее, и (6) можно переписать так:

.  (8)

Ряд (4), начиная со второго  члена, представляет собой бесконечную, убывающую прогрессию, где постоянный член равен r₂₃(1-r²₁₂)e^-iΔ2 , а знаменатель прогрессии  
r₁₂r₂₃e^-iΔ2. Проведенное суммирование приводит к выражению

.     (9)

Аналогичное суммирование бесконечного ряда лучей, прошедших в среду n₃ , дает амплитуду результирующей волны δ₁₃ . Амплитуда первого прошедшего луча 1 равна δ₁₂δ₂₃e^-iΔ2 . Величина δ₁₂δ₂₃r₂₃r₂₁e^-iΔ2 характеризует амплитуду лучей 2, 3 и так далее. Бесконечно убывающая прогрессия со знаменателем r₁₂r₂₃e^-iΔ2 дает в результате суммирования амплитуду прошедшей волны

      (10)

Выражения (9) и (10) являются основными для дальнейшего расчета амплитуд лучей, отраженных и проходящих через поверхность, на которой имеется тонкий слой.

Поскольку в рассматриваемой  системе отсутствует поглощение величины, входящие в выражения (9) и (10), вещественны, и (9) можно представить в виде:

     (11)

Коэффициенты отражения  рассматриваемой системы R₁₃ или пропускания Т₁₃ определяются возведением в квадрат выражений (9) и (10) или умножением их на комплексные сопряженные. Скачки фазы на границах раздела сред характеризуются величинами Δ₁₂ и Δ₂₃ , которые и определяют знаки коэффициентов Френеля. В непоглощающих средах фазы Δ₁₂ и Δ₂₃ имеют значения 0 или π в зависимости от того, положительны или отрицательны значения r₁₂ и r₂₃, и знаки cosΔ₁₂ и cosΔ₂₃ должны совпадать со знаками r₁₂ и r₂₃. Поскольку рассматриваемая система состоит из непоглощающих сред и показатели преломления вещественны, то в дальнейшем для удобства расчета мы будем пользоваться абсолютными значениями коэффициентов Френеля (модулями), определяемыми выражениями (5):

Учитывая сказанное, расчет коэффициента отражения рассматриваемой системы производится по формуле

   (12)

Формула рассчитана на отражение  света по нормали с углом многократных отражений от границ раздела. Характер отраженного света определяется интерференцией света в пленке и зависит от разности хода, которую вносит оптическая толщина пленки на пути лучей. Последняя будет различна для лучей различной длины волны λ.

Анализ формулы (12) показывает, что поскольку показатели преломления n₁ , n₂ и n₃ имеют постоянные значения, то коэффициент отражения R₁₃ будет периодической функцией аргумента , содержащего две переменные величины: оптическую толщину пленки R₁₃ и длину волны λ. Поэтому изменение R₁₃ может быть следствием изменения оптической толщины пленки или длины волны падающего света.

Рассмотрим обе возможности.

1. Монохроматический  свет: длина волны λ постоянная, оптическая толщина пленки n₂h₂ — переменная (например, клиновидная пленка). В отраженном монохроматическом свете, в пленке переменной толщины можно наблюдать ряд чередующихся черных и ярких полос, имеющих окраску, соответствующую длине волны λ. Положение экстремальных значений R₁₃ соответствует значениям оптической толщины пленки n₂h₂ , кратным падающего света:

    (k = 1, 2, 3,…),     (13)

когда разность хода лучей  равна целому числу  или нечетному числу .

Если n₂ < n₃ (показатель преломления пленки меньше, чем у подложки), минимумы R₁₃ будут соответствовать оптическим толщинам пленки, кратным нечетному числу , когда

     (k = 0, 1, 2, …)

.      (14)

Положение максимумов будет соответствовать четному числу или целому числу , когда

  .     (15)

2. Белый свет, содержащий  все длины волн, оптическая толщина  пленки n₂h₂ – постоянная. В отраженном свете также будет наблюдаться появление ряда максимумов и минимумов для длин волн

    (k = 1, 2, 3, …).    (16)

определяемых выражением (12).

Если n₂ < n₃, то первый и все последующие минимумы будут иметь место для длин волн

     (17)

и так далее, где k – нечетное.

Максимумы располагаются  в местах, соответствующих длинам волн, определяемым рядом

     (18)

и так далее, где k – четное.

При n₂ > n₃ наблюдается обратное соотношение, и положение первого и всех последующих максимумов определяется рядом (17), в то время как положение минимумов – рядом (18).

Подставляя значения оптических толщин из (14), (15) или (17), (18) в (12), находим, что экстремальные значения коэффициента отражения R₁₃ соответственно равны

,      (19)

.      (20)

Выражение (19) определяет минимальные значения R₁₃ как для условия 1, когда λ – постоянная, так и для условия 2, когда n₂h₂ — постоянная, если n₂ < n₃. При этом выражение (20) характеризует максимальное значение коэффициента отражения, равное отражению от пoдлoжки при отcyтcтвии слоя, каков бы ни был показатель преломления последнего. Если n₂ > n₃, то выражение (19) дает максимальные значения R₁₃, выражение (20) – минимальные, равные отражению от поверхности подложки (n₃) при отсутствии слоя.

Формула (12) показывает, что  пленка с показателем преломления n₂ < n₃ уменьшает отражение от подложки, а пленка n₂ > n₃  увеличивает.

Чтобы получить значение R₁₃ = 0 или r₁₃ = 0, необходимо, чтобы или числитель (11) был равен нулю, или знаменатель стремился к бесконечности. Последнее, однако, невозможно, поскольку максимальные значения r₁₂ и r₂₃ равны единице. Тогда остается только приравнять нулю числитель (11):

.     (21)

Это возможно, если

   (22)

и одновременно, если r₁₂ = r₂₃. Подставив сюда значения r₁₂ и r₂₃ из (5), имеем

.    (23)

Выражение (23) является условием амплитуд, а (22) фазовым условием. Полученный результат показывает, что нанесение тонкого слоя на поверхность прозрачной подложки (например, стекла) может полностью уничтожить отражение света для тех длин волн λ, для которых оптическая толщина слоя составляет величину, кратную четверти этой длины волны, а показатель преломления слоя n₂ равен геометрическому среднему из показателей преломления граничащих  
сред (23).

Нанесение слоя, оптическая толщина которого кратна , то есть и так далее, не изменяет исходного значения коэффициента отражения подложки для этой длины волны λ при любом показателе преломления слоя n₂. Это легко проверить, подставив соответствующие значения в (11) и выразив r₁₂ и r₂₃ через показатели преломления. Простые преобразования приводят к выражению, характеризующему поверхность без пленки:

.

 

7.6.3. Определение параметров пленок