ТехнологiчнI основи електронiки

8. Зборка і герметизація. Кристал напаюють на кристалоутримувач, здійснюють розводку - під'єднування електричних виводів до контактів бази, емітера і герметизують, поміщаючи в металево-скляний корпус серії КД-5.

9. Іспит приладів та контроль якості. Для оцінки параметрів і надійності приладів їх надсилають у відділ технічного контролю, де проводять електричні, радіаційні, кліматичні та механічні випробування. Вони важливі для правильної інформації про якість і надійність приладів. Крім цього кожна технологічна операція супроводжується контролем якості обробки, наприклад вимірюванням глибини дифузії, товщину епітоксіального шару чи питомого або поверхневого опору. Після того, як в структурі створені р-n-переходи, виробляють контроль електричних параметрів - напруги пробою, струму витоку, місткості.

10. Пакування  і збереження. Випробувані прилади  упаковуються та зберігаються  на складі до тих пір, доки  вони не реалізуються. Важливо  зазначити, що склад повинен відповідати певним умовам збереження продукції (не бути занадто вологим, брудним, тощо).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ВИСНОВКИ

 

В результаті виконання курсового  проекту були вивчені методи і технологічні схеми виготовлення напівпровідникових приладів, монолітних і гібридних ІС; основні технологічні процеси, їх фізичні основи і методи розрахунку; принципи дії технологічного обладнання; математичний апарат, що застосовується при розробці і конструюванні технологічного процесу напівпровідникових приладів й ІС.

Було проаналізовано технологічні процеси; виконано розрахунок параметрів напівпровідникових приладів й ІС з використанням ЕОМ; оцінювати отримані результати.

У даному курсовому проекті був  розроблений випрямляючий, планарний, дифузійний діод, а саме розроблений  технологічний маршрут, за ретроградними  діаграмами обрана оптимальна густина  дифузанту на поверхні зразка (C₀=10¹⁸ см^-3), отриманий розподіл густини домішки у емітерній області (рис. 2.1), розрахована глибина залягання ЕДП (x_i = 8,4 мкм), густина струму насичення (j_s = 150,11 А/см²),площа ЕДП(S=25∙10^-8 см²), отримана залежність густини зворотного струму від прикладеної напруги, пряма гілка ВАХ діода, на прямій гілці ВАХ визначена робоча точка, та обраний корпус (метало-скляний) і розроблений технологічний маршрут.

Перевагами даного технологічного маршруту є:

• простота технології та устаткування;
• технологічність;
• поширеність та відносна дешевизна матеріалів;
• досить велика надійність;
• порівняно добра контрольованість параметрів та відтворюваність;
• можливість одночасного проведення дифузії для групи пластин;
• великий вихід гідних приладів;
• тепловідвід корпусу більше 100 мВт;
• значне здешевлення при багатосерійному виробництві.

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

 

1.  Словник з кібернетики / За редакцією академіка В. С. Михалевича. - 2-е. - Київ: Головна редакція Української Радянської Енциклопедії імені М. П. Бажана, 1989. - 751 с. - (С48). - 50000 прим. - ISBN 5-88500-008-5.
2. Велика радянська енциклопедія, В. І. Баранов.
3. Електронні прилади: Підручник для вузів / В. Н. Дулін, Н. А. Аваєв, В. П. Дьомін та ін; Під ред. Г. Г. Шишкіна. - М. : Вища школа,   1989. - 496 с.
4. Клейнер Е. Ю. Основи теорії електронних ламп. - М. , 1974.
5. Чернишов А. А. , Іванов В. І. , Галахов В. Д. та ін Діоди і тиристори / Під. заг. ред. А. А. Чернишова. - 2-е вид. , Перераб. і доп. - М. : Енергія, 1980. - 176 с. - (Масова радіобібліотека; Вип. 1005).
6. А. І. Лебедєв. Фізика напівпровідникових приладів. Фізматліт, 2008.
7. Пасинков В. В. , Чиркин Л. К. Напівпровідникові прилади: Підручник для вузів. - 4-е перероб. і доп. вид. - М. : Вища школа, 1987. - С. 184-188. - 479 с.
8. С. М. Зі. Фізика напівпровідникових приладів (у 2 книгах). М. , Мир, 1984, т. 2, с. 226-269.
9. В. В. Пасинков, Л. К. Чиркин Напівпровідникові прилади: Підручник для вузів - 4-е вид. - М. : Вища школа, 1987. - 478 с.

[10] Методичні вказівки до виконання курсового проекту з дисципліни "Технологічні основи електроніки” для студентів спеціальності 8.050801 "Мікро- та наноелектроніка" денної й заочної форм навчання / Укл.: В.М.Матюшин.- Запоріжжя: ЗНТУ, 2009 - 27 c.