ТехнологiчнI основи електронiки

Методи дослідження – чисельні розрахунки за відомими, отриманими і спрощеними математичними формулами, що описують особливості дифузії, структури і роботи діода; використання теоретичних відомостей, що стосуються корпусів діодів; використання можливостей ЕОМ для визначення необхідних параметрів і залежностей.
Курсовий проект направлений на закріплення теоретичних знань з технологічних основ електроніки і практичне засвоєння методик розрахунку електрофізичних параметрів і характеристик напівпровідникових приладів.

1. Види діодів……………………………………………………………..........9
1.1. Напівпровідникові діоди…………………………………………………9
1.2. Електровакуумні діоди…………………………………………………12
1.3. Спеціальні види діодів…………………………………………………14
1.3.1. Стабілітрон……………………………………………………………16
1.3.2. Тунельний діод……………………………….………………………17
1.3.3. Фотодіод……………………………………………………………….18
2. Розрахунок процесу дифузії……………………………………………..19
2.1. Завдання та вихідні дані………………………………..........................19
2.2. Визначення коефіцієнта дифузії………………………………………19
2.3. Визначення глибини залягання p-n-переходу…………………………20
2.4. Визначення градієнта концентрацій………………………………….22
2.5. Розрахунок ВАХ…………………………………………………….…..22
2.6. Розрахунок топології…………………………………………………...28
3. Технологічний процес……………………………………………………31
3.1. Схема технологічного процесу…………………………………………31
Висновки……………………………………………………………………..38Список літератури…………………………………………………………...39