Расчет параметров кремниевого интегрального МДП-транзистора

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 16 Декабря 2014 в 09:55, курсовая работа

Краткое описание

Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление) – электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в 1948 У. Шокли, У.Браттейном и Дж. Бардином (Нобелевская премия, 1956). На основе транзисторов и их применений выросла широкая отрасль промышленности – полупроводниковая электроника. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов – интегральных схем.

Содержание

Введение………………………………………………………………………………….…………3
§ 1. Теоретические сведения………………………………………………………..…………..3
§2. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального МДП-транзистора
§ 2.1. Исходные данные. Задание ……………………………………………………………..8
§2.2.1. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора………..…..10
§2.2.2. Расчет ВАХ в рамках идеализированной модели………………………………...11
§2.2.3. Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором…………………..12
§2.3. Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры………………………….15
§2.4.1. Факультативное задание: расчет и корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала…………………………………………..16
§2.4.2. Факультативное задание: расчет реальной ВАХ, зависящей от V_BS.………17
§2.4.3. Факультативное задание: расчет параметров эквивалентной схемы……..19
§3.1. Структура и топология МДП-транзистора……………………………………….20
§3.2. Краткий технологический маршрут изготовления МДП-структур………….21
Выводы главы…………………………………………………………………………………….23

Скачать полностью (283.33 Кб) Сколько стоит заказать работу?

Прикрепленные файлы: 1 файл

Григорьев П.А. ЭКТ-45.docx

— 315.12 Кб (Скачать документ)

в) формируют тонкий подзатворный слой диоксида кремния и наносят на него слой поликремния (затвор);

г) ионным легированием мышьяка формируют n+-области истока и стока;

д) химическим паровым осаждением наносят слой диоксида кремния, формируют в нем окна, напыляют пленку алюминия и методом фотолитографии создают рисунок металлических проводников.

Выводы главы

В данной главе произведен расчет параметров МДП-транзистора. Сводка результатов представлена в таблице 1.3.

№	Параметр	Результат
1	Структура исследуемого МДП-транзистора	Рис. 1.8а
2	Топологический чертеж исследуемого МДП-транзистора	Рис. 1.8б
3	Рассчитанное пороговое напряжение Vt0, B
4	Доза подлегирования D, см-2
5	Коэффициент влияния подложки КB,B1/2
6	Толщина ОПЗ под затвором lT, мкм	0.16
7	Толщина ОПЗ под истоком lS, мкм	0.44
8	Толщина ОПЗ под стоком lD, мкм	1.03
9	Крутизна ВАХ g, мкА/В	1097
10	Выходная проводимость G, мкОм-1	678
11	Собственный коэффициент усиления по напряжению К
12	Маршрутная карта изготовления транзистора	§1.2.1

Табл. 1.3 – сводка конечных результатов

Список литературы

Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учеб. пособие – М.: Высшее образование; Юрайт-Издат, 2009
Титова И.Н. Методические указания по выполнению курсового проекта. Учебно-методическая разработка для самостоятельной работы студентов по курсу «Элементы твердотельной электроники и физики полупроводниковых приборов»
Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. Ростов н/Д: Феникс, 2010

~ ~

Информация о работе Расчет параметров кремниевого интегрального МДП-транзистора