Автор работы: Пользователь скрыл имя, 16 Декабря 2014 в 09:55, курсовая работа
Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление) – электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в 1948 У. Шокли, У.Браттейном и Дж. Бардином (Нобелевская премия, 1956). На основе транзисторов и их применений выросла широкая отрасль промышленности – полупроводниковая электроника. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов – интегральных схем.
Введение………………………………………………………………………………….…………3
§ 1. Теоретические сведения………………………………………………………..…………..3
§2. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального МДП-транзистора
§ 2.1. Исходные данные. Задание ……………………………………………………………..8
§2.2.1. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора………..…..10
§2.2.2. Расчет ВАХ в рамках идеализированной модели………………………………...11
§2.2.3. Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором…………………..12
§2.3. Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры………………………….15
§2.4.1. Факультативное задание: расчет и корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала…………………………………………..16
§2.4.2. Факультативное задание: расчет реальной ВАХ, зависящей от V_BS.………17
§2.4.3. Факультативное задание: расчет параметров эквивалентной схемы……..19
§3.1. Структура и топология МДП-транзистора……………………………………….20
§3.2. Краткий технологический маршрут изготовления МДП-структур………….21
Выводы главы…………………………………………………………………………………….23