Микротвердость пористого кремния

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ВЫВОДЫ

 

1. Обнаружено уменьшение микротвердости кремния, индуцируемое развитием пористой структуры приповерхностных слоев.
2. Показано, что при постоянном времени электрохимического анодирования кремния величина его разупрочнения пропорциональна плотности тока.
3. Выявлено, что зависимость микротвердости пористого кремния от длительности электрохимического анодирования при постоянной плотности тока имеет пороговый характер.
4. Обнаружено, что предварительное бета-облучение монокристаллов Si с флюенсом F = 3,9 · 1010 см–2 приводит к уменьшению характерных длительностей электрохимического анодирования, вызывающих снижение микротвердости формируемых пористых слоев кремния.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

 

1. Зимин С.П. Пористый кремний – материал с новыми  
свойствами // Сорсовский образовательный журнал. 2004. № 1. С. 101-107.

2. Латухина Н.В., Писаренко Г.А., Волков А.В., Китаева В.А. Фоточувствительная матрица на основе пористого микрокристаллического кремния // Вестник СамГУ – Естественнонаучная серия. 2011. № 5. С. 115 – 121.

3. Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. Радиационная стойкость пористого кремния // Физика и техника полупроводников. 1997. № 9. С. 1126-1129.

4. Герасименко Н.Н., Зайцев С.А. Технологии изготовления наноструктурированных материалов и их применение. М.: Московский физико-технический институт, 2011. 136 с.

5. Collins R.T., Fauchet P.M., Tischler M.A. Porour silicon: From luminescence to LEDs // Physical. Today. 1997. V. 50. P. 24-31.

6. Электронный ресурс. – Режим доступа: http://www.Wikipedia.ru (17.11.2012).

7. Tinkham. M. Coulomb blockade and an electron in a mesoscopic  
box // Am. j. Physical., 1996, V. 64. P. 343–347.

8. Кашкаров П.К. Необычные свойства пористого кремния // Сорсовский образовательный журнал. 2001. № 1. С. 102-107.

9. Астрова Е.В., Витман Р.Ф., Емцев В.В., Лебедев А.А.,  
Полоскин Д.С., Ременюк А.Д., Рудь Ю.В. Влияние гамма-оюлучения на свойства пористого кремния // ФТП. 1996. С. 507.

10. Kanemitsu Y., Okamoto S., Otobe M., Oda S. Photoluminescence mechanism in surface-oxidized silicon nanociystals // Physical review.1997. V. 55. P. 7375.

11. Kanemitsu Y. Physical review. 1993. P. 12357.

12. Федоренко Л.Л., Сердарлы А.Д., Каганович Э.Б., Свечников С.В., Дикий С.П., Баранец С.В. Релаксационные спектры фотолюминесценции пористого кремния, полученного химическим травлением лазерно-модифицированного кремния // ФТП. 1997. С. 31.

13. Xie Y.H., Wilson W.L., Ross F.M., Mucha J.A., Fitzgerald E.A., Macaulay J.M., Harris T.D. // Appl Physical. 1992. V. 72. P. 2403.

14. Pavesi L. // Appl Physical. 1996. P. 216.

15. Агекян В.Ф., Емцев В.В., Лебедев А.А., Полоскин Д.С.,  
Ременюк А.Д., Cтепанов Ю.А. Влияние гамма-облучения на кинетику фотолюминесценции пористого кремния // Физика и техника полупроводников. 1999. № 12. С. 1462-1464.

16. Pavesti L., Giebel G., Ziglio F., Mariotto G., Priolo F.,  
Campisano S.V., Spinella S. Nanocrystal size modifications in porous silicon by preanodization ion implantation // Appl Physical. Lett. 1994. V. 65. P. 2182.

17. Namavar F., Feng L., Perry C.H., Siref R.A. // Appl Physical. Lett. 1995. P. 4813.

18. Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 362 c.

19. Решина И.И., Гук Е.Г. Комбинационное рассеяние и люминесценция пористого кремния // ФТП. 1993. С. 728-735.

20. Пирсон У. Металлы . Кристаллохимия и физика металлов и сплавов, пер. с англ., ч. 1-2, М., (1977). 120 с.

21. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Физика металлов. Атомное строение металлов и сплавов, М., (1978).

22. Бернштейн М.Л., Займовский В.А., Механические свойства металлов, 2 изд., М., (1979).

23. Лившиц Б.Г., Крапошин В.С., Липецкий Я.Л., Физические свойства металлов и сплавов, 2 изд., М., (1980).

24. Головин Ю.И., Дмитриевский А.А. Эффекты влияния малых доз и интенсивностей радиационных и электромагнитных воздействий на свойства реальных кристаллов // Журнал функциональных материалов. 2007. Т. 1. № 1. С. 11-20.

25. Бурлакова Е.Б. Особенности действия сверхмалых доз биологически активных веществ и физических факторов низкой интенсивности // Российский химический журнал. 43, 5, 3 (1999).

26. Бурлакова Е.Б. Особенности действия сверхмалых доз биологически активных веществ и физических факторов низкой интенсивности // Российский химический журнал, 22, 2, 21 (1999).

27. Электронный ресурс. – Режим доступа: http://nanolek.ru

28. Овчинников И.И., Овчинников И.Г., Богина М.Ю., Матора А.В. Влияние радиационных сред на механические характеристики материалов и поведение конструкций // Науковедение. 2012. № 4. 39 с.

29. Бадылевич М.В., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев С.В., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. Немонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов в кремнии, индуцируемые потоками β-частиц малой интенсивности // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40. № 12. С. 1409-1411.