Автор работы: Пользователь скрыл имя, 09 Сентября 2012 в 14:43, курсовая работа
В данном курсовом проекте требуется разработать генератор однополярных положительных прямоугольных импульсов на базе «идеального» операционного усилителя (ОУ) и транзисторного каскада по данным таблицы 1.
Устройство должно включать в себя следующие блоки:
– формирователь прямоугольных импульсов на ОУ;
– электронный ключ – тразисторный каскад.
1 Введение
2
2 Электрическая структурная схема устройства
3
3 Электрическая функциональная схема устройства
3
4 Электрическая принципиальная схема устройства
5
5 Расчет элементов устройства, выбор типов и номиналов
9
5.1 Расчет эмиттерного повторителя
9
5.2 Расчет мультивибратора на ОУ
14
5.3 Временные диаграммы
19
6 Список используемой литературы
22
содержание
1 Введение | 2 |
2 Электрическая структурная схема устройства | 3 |
3 Электрическая функциональная схема устройства | 3 |
4 Электрическая принципиальная схема устройства | 5 |
5 Расчет элементов устройства, выбор типов и номиналов | 9 |
5.1 Расчет эмиттерного повторителя | 9 |
5.2 Расчет мультивибратора на ОУ | 14 |
5.3 Временные диаграммы | 19 |
6 Список используемой литературы | 22 |
1 Введение
В данном курсовом проекте требуется разработать генератор однополярных положительных прямоугольных импульсов на базе «идеального» операционного усилителя (ОУ) и транзисторного каскада по данным таблицы 1.
Устройство должно включать в себя следующие блоки:
– формирователь прямоугольных импульсов на ОУ;
– электронный ключ – тразисторный каскад.
Выбираем эмиттерный повторитель, обеспечивающий подключение к устройству нагрузку.
Все элементы блоков схемы определим по расчётным формулам после чего их номинальные значения выберем из стандартного ряда Е24 максимально приближенно к значениям, полученным в результате расчётов.
Таблица 1
Параметр | Условные обозначения | Значение |
Частота выходной последовательности импульсов, fвых, кГц | A | 3 |
Амплитуда выходных импульсов, Uвых, В | B | 9 |
Сопротивление нагрузки, Rн, кОм | C | 0,5 |
Скважность, Q | D | 4 |
Согласно заданию структурная схема генератора однополярных положительных прямоугольных импульсов на базе «идеального» ОУ и транзисторного каскада состоит из следующих элементов:
1) Формирователь импульсов (ФИ) (задающий длительность рабочего хода и частоту следования выходных импульсов напряжения), ФИ выдает разнополярные импульсы заданной длительности и скважности;
2) Ключевое устройство, согласующее большое сопротивление нагрузки ОУ с малым сопротивлением нагрузки генератора, на выходе которого получаем однополярные прямоугольные импульсы.
Рис. 2.1 - Электрическая структурная схема генератора
Схемотехнически электронный генератор представляет собой усилитель, охваченный положительной обратной связью. В качестве усилителя могут быть использованы схемы на дискретных транзисторах, интегральные таймеры, цифровые ИМС, а также операционные усилители. Использование ОУ позволяет построить стабильные генераторы с хорошим воспроизведением формы выходного сигнала.
Принцип построения генераторов колебаний прямоугольной формы (прямоугольных импульсов) базируется на выполнении двух основных математических операций: интегрирования и сравнения. Наиболее просто он реализуется с помощью релаксационных генераторов (мультивибраторов). В таких генераторах колебания создаются путем периодического заряда и разряда конденсатора до некоторых пороговых уровней током, полярность которого изменяется с помощью некоторой внешней цепи. Наиболее простые схемы мультивибраторов строят, охватывая ОУ цепями положительной и отрицательной обратной связи, причем ПОС по своему действию во времени должна быть опережающей по отношению к ООС. Тогда цепь ПОС обеспечивает лавинообразный переход генератора из одного состояния в другое, а – ООС (совместно с цепью ПОС) ограничивает время пребывания устройства в каждом из состояний.
В качестве ключевого устройства используется схема включения транзистора общим коллектором (ОК) – эмиттерный повторитель.
Схема с общим коллектором обладает самым низким выходным и самым высоким входным сопротивлениями из трех схем включения транзистора. Поэтому такая схема применяется как согласующий каскад между большим сопротивлением нагрузки ОУ с малым сопротивлением нагрузки генератора.
Рис. 3.1 - Электрическая функциональная схема генератора
Электрическая принципиальная схема приведена на рисунке 4.1.
Рис. 4.1 - Электрическая принципиальная схема генератора
Схема автоколебательного мультивибратора приведена на рис.4.1, выделена пунктиром. Принцип работы релаксационных формирователей и генераторов на базе операционных усилителей основан на использовании процессов заряда-разряда (релаксаций) конденсаторов RC-цепей. При этом заданное время релаксаций реализуется как параметрами самой RC-цепи, так и величиной порогового напряжения срабатывания, устанавливаемого на одном из входов операционного усилителя. Операционный усилитель в данном случае используется в режиме компаратора.
Релаксационный генератор (мультивибратор) формирует последовательность прямоугольных разнополярных импульсов заданной длительности и скважности.
Временные диаграммы, поясняющие работу мультивибратора приведены на рисунке 4.2.
Рис. 4.2 - Релаксационные процессы в мультивибраторе.
Uос – напряжение положительнойобратной связи;
Uпор = Uос – пороговое напряжение;
Енас – напряжение насыщения ОУ;
Т, Ти, Тп – длительности периода, импульса и паузы;
Uс – напряжение на конденсаторе.
Напряжение на конденсаторе изменяется по экспоненте, начальный участок которой близок по форме к линейной зависимости (принято на временной диаграмме), при этом напряжение Uс стремится к Енас. В момент /Uc/ = /Uпор/ дифференциальное входное напряжение ОУ изменяет знак на противоположный и напряжение на выходе ОУ скачкообразно (благодаря действию положительной обратной связи) изменяет полярность. Таким образом, мультивибратор может находиться в одном из двух квазиустойчивых состояний, в течение которых формируются длительности импульса и паузы. Пользуясь известными соотношениями для линейных RC- цепей первого порядка можно найти временные интервалы релаксаций для данной схемы:
, ,
, .
Обычно принимается условие: , тогда получим: и . В данном случае выходное напряжение представляет собой импульсную последовательность со скважностью равной двум (меандр). При необходимости получить другие значения скважности, как правило, вместо одного сопротивления R1 устанавливаются два резистора: один для цепи заряда конденсатора (формирование Ти), другой для его разряда (формирование паузы). При этом резисторы развязаны друг от друга диодами, пример такой схемы приведенна рисунке 4.3.
Рис.4.3 - Мультивибратор с регулируемой скважностью
Очевидно, что значение скважности в данном случае будет зависеть от соотношения величин сопротивлений R1 и R1 в соответствии с формулой: .
Ключевое устройство реализовано на биполярном транзисторе n-p-n структуры, управляемым импульсами положительной полярности. Из выходной цепи мультивибратора выходят импульсы как положительной, так и отрицательной полярности. Транзистор VT1 будет насыщен (открыт) при положительных полупериодах Uвх, а при отрицательных находится в режиме отсечки (закрыт). Транзистор VT1 включен по схеме с общим коллектором (ОК), имеет коэффициент усиления по напряжению примерно равный единице, и значительно меньшее по сравнению со входным – выходное сопротивление. В эмиттерной цепи включен R5 – это нагрузка генератора.
5 Расчет элементов устройства, выбор типов и номиналов
В этой части работы проведем расчет элементов эмиттерного повторителя, а за тем мультивибратора, согласно принципиальной схеме.
В общем виде схема эмиттерного повторителя выглядит так рисунок 5.1.
Рис. 5.1 - Принципиальная схема усилителя на биполярном транзисторе, включенного по схеме с общим коллектором.
Активный элемент эмиттерного повторителя выполнен на транзисторе, включенном по схеме с общим коллектором. Здесь сопротивление нагрузки постоянному току включено в эмиттерную цепь, а внешняя нагрузка также подключена к эмиттеру через разделительный конденсатор. Bxoдным электродом является база, выходным – эмиттер транзистора. Особенность эмиттерного повторителя – глубокая отрицательная последовательная обратная связь по эмиттерному току, обуславливающая высокое входное и низкое выходное сопротивления, высокую стабильность параметров.
Начальный режим. При этом для обеспечения симметричного усиления полуволн синусоидального сигнала электрическое смещение выводов транзистора устанавливается равным: Uбо≈Ек/2;
Uкэо≈ Uэо≈ Ек/2. Из физической эквивалентной схемы замещения (рис.5.2) следует:
Рис. 5.2 - Физическая схема замещения эмиттерного повторителя
R′э =Rэ//Rн, Rвх.тр.ос.= h11э+ R′э (h21э+1), (5.1.1)
Rвх.эп=Rб// Rвх.тр.ос. (5.1.2)
Кi.тр.=iэ/iб= h21э +1 , (5.1.3)
Кi.эп.=( h21э +1) Rб/( Rб + Rвх.тр.ос), (5.1.4)
Кu.эп= uвых./uвх.= uвых/ (uвых+uбэ)<1 (0,95-0,99), (5.1.5)
Кр= Кi.эп.* Кu.эп, (5.1.6)
Rвых.= h11э/( h21э.+1). (5.1.7)
Из приведенных соотношений следует, что в формировании отрицательной обратной связи по переменному току эмиттера участвует всё сопротивление нагрузки: Uос.~ = iэ(Rэ//Rн), благодаря чему глубина ООС близка к 100%. Этим объясняется высокое входное сопротивление транзистора и эмиттерного повторителя в целом.
Схема с общим коллектором применяется в качестве входных и выходных каскадов для обеспечения большого входного и малого выходного сопротивлений усилителя. В нашем случае схема выглядит так – рисунок 5.3
Рисунок 5.3. Эмиттерный повторитель из разрабатываемой схемы.
При Uвых.max = 9 В и Rн=R5 =500 Ом,
ток в нагрузке Iн= Uвых.max/Rн=0,018 А. Таким образом Iэ=Iн=0,018 А,
Iк≈ Iэ, Iк=0,018 А.
Uвх.max =11В и Rнэ= R5,
Определим рассеиваемую мощность на резисторе R5
PR6 = IR62·R6;
PR6 = (0,018)2·500 = 0,162 Вт
Выбираем резистор R6 типа С2-18-0,5-500 Ом ± 5%.
Uвх.max =11В и Rнэ= R5+ R6,
Iн≈ (Uвх.max)/Rнэ,
R5= (Uвх.max - Uвых.max )/ Iн =2/0,018=111 Ом,
Принимаем R5=111 Ом.
Определим рассеиваемую мощность на резисторе R5
PR5 = IR52·R5;
PR5 = (0,018)2·111 ≈ 0,036 Вт
Выбираем резистор R5 типа С2-18-0,125-111 Ом ± 5%.
Выберем по допустимому току коллектора, по допустимому напряжению коллектор–эмиттер, по допустимой мощности на коллекторе n-p-n кремниевый транзистор серии КТ315А из справочника /3/ с параметрами, приведенными в таблице 2.
Таблица 2 - Параметры транзистора КТ315А
Максимальный ток коллектора Iкmax, мА | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора Ркmaх, мВт | 150 |
Структура | n-p-n |
Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ доп, В | 25 |
Коэффициент усиления по току h21э | 20..90 |
Граничная частота fгр, МГц | 100 |