Технологічні особливості паяння та зварювання у виробництві інтегральних мікросхем

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 25 Января 2014 в 13:32, курсовая работа

Краткое описание

Також розглядаються й аналізуються переваги і недоліки кожного методу з точки зору споживання енергії, можливості автоматизації технологічного процесу герметизації, вартості обладнання та установок, здатності використання в масовому чи тільки вузькому та спеціалізованому виробництві, часу, який затрачується на герметизацію інтегральних мікросхем, робочих температур мікрозварювання, котрі можуть призвести до виходу з ладу напівпровідникового кристалу.
Мета роботи: описати найпоширеніші методи зварювання і пайки для виготовлення виводів та герметизації інтегральних схем, вивчити їх технологічні особливості.

Содержание

ВСТУП 4
РОЗДІЛ 1 ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСОБЛИВОСТІ ЗВАРЮВАННЯ………….5
1.1 Холодне зварювання………………………………………………………. 5
1.2 Електроконтактне конденсаторне зварювання ( ЕКЗ)……………………7
1.3 Аргонно-дугове зварювання…………………………………………………8
1.4 Термокомпресійне зварювання………………………………………………9
1.5 Контактне зварювання розщепленим електродом……………………….12
1.6 Зварювання тиском з непрямим імпульсним нагрівом ( ЗНІН )………….13
1.7 Зварювання здвоєним (розщепленим) електродом………………………..14
1.8 Ультразвукове зварювання………………………………………………….15
1.9 Лазерне зварювання…………………………………………………………17
1.10 Типи установок для мікрозварювання…………………………………….19
1.11 Технологія термозвукового мікрозварювання методом «кулька - клин -кулька»…………………………………………………………………………....20
РОЗДІЛ 2 ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСОБЛИВОСТІ ПАЯННЯ………………...27
2.1 . Приєднання виводів паянням……………………………………………...27
2.1.1 Холодна пайка……………………………………………………………29
2.2. Герметизація пайкою………………………………………………………30
2.2.1 Пайка припоями……………………………………………………………31
2.2.2 Пайка склом………………………………………………………………32
ВИСНОВКИ 33
СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ 34

Прикрепленные файлы: 1 файл

КурсоваяРыбальский.docx

— 736.75 Кб (Скачать документ)

Срібна амальгама ( 52 % вага Ag) твердне при 25 ° С за 3 год , мідний склад з галієм ( 66 % вага Cu) твердне  при тій же температурі за 4 ч [8].

 

2.2 . Герметизація пайкою

 

Герметизацію пайкою застосовують у скляних (мікросхеми серії К106 тощо) і керамічних (мікросхеми серії ПВМ) корпусах з плоскими планарними виводами. У першому випадку скляну основу отримують у формі (пресування скляного порошку з наступним оплавленням ) одночасно з системою виводів і коваровою рамкою. У другому випадку спочатку виготовляють керамічну основу з пазами під виводи, а потім виконують пайку склом коварових виводів і рамки. В обох випадках, для полегшення виготовлення основи корпусу, плоскі виводи об'єднані в загальну систему за допомогою технологічної рамки. Згодом після виконання внутрішнього монтажу (перед електричним контролем) технологічна рамка відрізається штампом , роз'єднуючи виводи мікросхеми .

Золоте покриття на коваровій рамці дозволяє отримувати надійне паяне з’єднання з кришкою корпусу ( нікель , нікельована мідь та ін.) З цією метою на коварову рамку укладають рамку з припою ПОС- 61 товщиною 0,15 - 0,2 мм , встановлюють кришку, і корпус з мікросхемою поміщають на нагрівач, забезпечений вібратором ( 50 Гц). Наявність бортика по контуру рамки виключає проникнення припою всередину корпусу.

Для пайки корпусів застосовують автоматичні і напівавтоматичні установки. На установці АГМП - 1 (автомат  герметизації мікросхем пайкою ) пайку  виконують у середовищі інертного  газу. Корпуси встановлюють в касети , що забезпечують регульоване зусилля притиску на кришку корпусу в межах 3 -10 м. Касети, що містять по 10 корпусів кожна, поміщають в магазин( ємність магазину 20 касет). Розплавлення рамки припою здійснюється імпульсним нагрівом в діапазоні регульованих температури (150 - 450 ) ± 3 °С. Щоб уникнути термоудару виріб піддають попередньому нагріванню в межах ( 100 - 200 ) ± 10 ° С. Час пайки ( регульований ) 5 - 15 с з дискретністю 1 с.

Вібрація може бути накладена  зі зміщенням по часу від початку  пайки на 2 - 12с. Витрата інертного  газу тиском 1,5-2 ат. становить 0,5 м3 / ч. Продуктивність установки 450 корпусів на годину [9] .

 

2.2.1 Пайка припоями

 

Пайка припоями виконується  при температурах 170-350 ° С. Перед паянням виріб облужують розплавленим припоєм або поміщають його між деталями, що сполучаються у вигляді прокладок , таблеток , кілець і ін.. Далі корпуси герметизують, застосовуючи різні способи нагріву, необхідні для оплавлення припою.

При кондуктивному методі нагрівання деталі корпусу ІМС, з прокладкою припою між ними, попередньо обробленої розчином або розплавом флюсу     ( каніфолі ) , затискають з невеликим зусиллям між двома нагрівальними плитами. Недолік цього методу - значне нагрівання основи корпусу, на якому розташована ІМС , а також необхідність застосування флюсу , залишки якого важко повністю видалити , і вони можуть потрапити всередину корпусу.

При обдуві струменем гарячого газу ( азоту або аргону) корпуса з боку кришки, застосування флюсу виключається , так як пайка проводиться в інертній атмосфері.

Конвективний нагрів застосовують при великосерійному і масовому виробництві . Зібрані деталі корпусів стискають і фіксують на весь час  пайки, яку проводять в конвеєрних печах із захисним середовищем. Швидкість руху конвеєра, температурний режим печі (підйом температури до заданої, витримка та охолодження) забезпечують оптимальний цикл пайки.

Цей метод пайки досить простий і доступний, проте через високу теплопровідність припою необхідно нагрівати весь корпус. Крім того, міцність паяного шва зазвичай нижче міцності  матеріалів, що з'єднуються (міді, нікелю та особливо ковара ) .

 

2.2.2 Пайка склом

 

Пайку склом застосовують не тільки для контакту кристалів  з корпусами і кріплення зовнішніх  виводів до керамічних основ, але і для з'єднання керамічних кришок з основами. Це значно спрощує конструкцію корпусів і збірку ІМС . При такій пайці як припої використовують низькотемпературні скла.

Пайку перемичок до контактних майданчиків можна здійснювати з дозуванням припою в процесі пайки або з попереднім лудінням контактних майданчиків. Останній спосіб є більш прогресивним , так як передбачається нанесення припою високопродуктивним методом занурення. Такий спосіб використовують , наприклад , в тонкоплівкових гібридних схемах серії К217 (мідні луджені контакти ) , а також в товстоплівкових гібридних схемах серій К202 , К204 (срібні луджені контакти ) і деяких інших.

Особливістю лудіння тонкоплівкових контактів є небезпека їх ослаблення через розчинення ( дифузії) матеріалу плівки в припій . Тому для лудіння золотих і срібних контактів застосовують припій ПОС- 61 , модифікований золотом або сріблом ( 3 %). Температура плавлення цих припоїв 190 ° С.

Щоб після лудіння і пайки уникнути промивання мікросхем, використовують пасивні флюси марок Ф1111 або ПЛП .

Пайку можна здійснювати  за допомогою мікропаяльників з непрямим імпульсним нагрівом ( час імпульсу до 2 с), з автоматичним регулюванням режиму нагрівання по температурі, для чого в конструкції паяльника передбачена термопара. Інший спосіб - пайка здвоєним електродом , при якому тепло виділяється за рахунок проходження струму через ділянку припою , розташований під зазором здвоєного електрода [10] .

Висновки

 

1. Найпоширенішими методами  зварювання є:

- термокомпресійне зварювання;

- електроконтактне конденсаторне зварювання;

- зварювання тиском з  непрямим імпульсним нагрівом;

- контактне зварювання;

- ультразвукове зварювання;

- лазерне зварювання.

2. Будь-який метод з’єднання,  який застосовується у виробництві напівпровідникових приладів й інтегральних схем, повинен задовольняти наступним вимогам:

- Міцність з’єднань повинна бути не нижчою, ніж міцність з’єднуваних елементів.

- З’єднання повинні мати мінімальний опір.

- Основні параметри процесу з’єднання (температура нагріву, питомий тиск, тривалість витримки) повинні бути мінімальними, щоб не спричинити пошкоджень активної області напівпровідникового приладу.

-  Можливість з’єднання найрізноманітніших сполук матеріалів.

- Після процесу з’єднання не повинно залишатися матеріалів, які викликають корозію.

- Якість з’єднань повинна контролюватися простими і надійними методами. [13]

 

 

 

 

 

 

 

Список використаних джерел

 

  1. Кудряшов И. Технология микросварки проволочных выводов // Производство электроники. 2007. № 5.
  2. Шмаков М. В. Контроль качества сварнях соединений при создании гибридных микросборок // Технологии приборостроения.2006. № 4.
  3. ОСТ 11 073.013-83, метод 109-4 Микросхемы интегральные. Методы испытаний.
  4. ОСТ 11 073.013-83, метод 405-1.1 Микросхемы интегральные. Методы испытаний.
  5. Романова, М. П. Сборка   и   монтаж   интегральных   микросхем   :   учебное   пособие / М. П. Романова. – Ульяновск : УлГТУ, 2008. – 95 с.
  6. Максим Шмаков, Валерий Паршин, к.т.н. Елена Теплякова «Технологии в электронной промышленности», № 7 ’2007
  7. Игорь Кудряшов «ПРОИЗВОДСТВО ЭЛЕКТРОНИКИ: ТЕХНОЛОГИИ, ОБОРУДОВАНИЕ, МАТЕРИАЛЫ» №5, 2007
  8. Волков В.А. Сборка и герметизация микроэлектронных устройств. - Москва: Радио и связь, 1982
  9. Назаров Г.В., Гревцев Н.В. Сварка и пайка в микроэлектронике. - Москва: Советское радио, 1969
  10. Черняев В. Н., «Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров», М.: Радио и связь, 1987.
  11. http://svar-tech.com/11/113/191-svarka-v-mikrojelektronike.html .  Дата доступу 12.11.2013.
  12. http://refdb.ru/look/2366825-p5.html . Дата доступу 28.10. 2013
  13. http://www.ukrreferat.com/index.php?referat=73818&pg=12. Дата доступу 28.10.2013

 

 


Информация о работе Технологічні особливості паяння та зварювання у виробництві інтегральних мікросхем