Автор работы: Пользователь скрыл имя, 26 Октября 2013 в 18:07, дипломная работа
Целью настоящего дипломного проекта является исследование видимости объектов наблюдения в зависимости от пространственного распределения излучения, освещённости объекта наблюдения, контраста объекта с фоном и
продолжительности зрительной работы.
Для решения поставленной задачи необходимо:
- исследовать влияние направления излучения, создаваемого СИД и ЛН, на видимость объектов;
- исследовать влияние контраста объекта с фоном на видимость диффузных объектов наблюдения;
Введение
В современной
практике светотехнического
В данном дипломном проекте для оценки условий освещения использован метод измерения видимости. Он наиболее чувствителен к изменению качественной стороны освещения и позволяет быстро выявить все взаимосвязи качественной и количественной сторон, учесть влияние таких факторов, как блёскость, неравномерность освещения и т. д., и определить наиболее оптимальные условия освещения.
Целью настоящего дипломного проекта является исследование видимости объектов наблюдения в зависимости от пространственного распределения излучения, освещённости объекта наблюдения, контраста объекта с фоном и
продолжительности зрительной работы.
Для решения поставленной задачи необходимо:
- исследовать влияние
- исследовать влияние контраста объекта с фоном на видимость диффузных объектов наблюдения;
- исследовать изменение видимости диффузных объектов наблюдения в зависимости от степени сложности зрительной задачи;
- установить влияние уровня освещенности и продолжительности работы на видимость объекта с фоном;
- провести
сравнительный анализ
1 Методики оценки условий освещения
1.1 Тенденция развития светодиодного излучения
В настоящее время светоизлучающие диоды (СИД) находят применение в осветительной технике.
Основные и наиболее крупные достижения в технологии светоизлучающих диодов (СИД) произошли в последние пять лет [21,с.32]. В 1992 году благодаря использованию светящегося слоя на основе фосфида галлия (GaP) был достигнут прорыв в технологии СИД : η=25 лм/Вт в оранжевой части спектра и η=12 лм/Вт в жёлто-зелёной. Однако поистине революционное свершение произошло в сине-зелёной части спектра. Синтез СИД синего цвета свечения был впервые произведён фирмой Nichia (Япония) в 1994 г. при использовании многослойной структуры GaN на сапфировой подложке, со η=10 лм/Вт [22,с.67]. Тогда же были представлены зелёные СИД на основе нитрида галлия GaN со η=20лм/Вт. В конце 1999 года для красного СИД на основе AlJnGaP ( =611 нм) была получена η=102лм/Вт [21,с.91].
Первый шаг к созданию высокоэффективных СИД, пригодных для использования в светосигнальных приборах и приборах дистанционного управления был сделан в результате разработки Ж.И.Алферовым с сотрудником концепции многопроходных двойных гетероструктур в системе GaAlAs [23,с13].
СИД представляют собой микроминиатюрные полупроводниковые ИС, в которых излучение возникает на полупроводниковом переходе в результате рекомбинации электронов и «дырок». В СИД используются полупроводниковые материалы высокой чистоты, лигированые малыми количествами контролируемых примесей, создающих избыток электронов (материал n-типа), либо их недостаток, т.е. избыток «дырок», которые ведут себя подобно положительным зарядам (материал р-типа). В месте контакта р-и n-материалов образуется полупроводниковый р-n-переход. Если к р-n-переходу приложить постоянное напряжение в несколько вольт прямой полярности, то приложенное поле будет заставлять перемещаться электроны и «дырки» навстречу друг к другу и они будут рекомбинировать в зоне контакта, частично испуская при этом фотоны. Спектр излучения зависит от материала полупроводника и вводимой примеси [11,с.60].
Белое свечение, как известно, может быть получено только смешением красного, зелёного и синего цветов. СИД белого свечения были получены
Ш. Накамурой на основе синего свечения кристаллов из JnGaN и люминофорного покрытия, содержащего алюмоитриевый гранат. Существует 4 способа создания белых СИД со своими достоинствами и недостатками:
а) смешение излучения СИД трёх или более цветов (RGB). В принципе такой способ должен быть наиболее эффективным. Для каждого из СИД красного, зелёного или голубого можно выбрать значения тока, соответствующего максимуму его внешнего квантового выхода. Но при этих I и V интенсивности каждого цвета не будут соответствовать значениям необходимым для результирующих цветовых координат в области белого цвета. Этого можно достигнуть, изменяя число диодов каждого цвета и составляя источник из многих диодов. Для практических применений этот способ встречает неудобства, поскольку нужно иметь несколько источников различного напряжения, много контактных вводов и устройства, смешивающие и фокусирующие свет от нескольких СИД;
б) белое
свечение может быть получено
также при использовании в
конструкции СИД трёх
в) смешение голубого излучения СИД с излучением либо жёлто-зелёного, либо зелёного и красного люминофоров, возбуждаемых этим голубым излучателем. Эти способы наиболее просты и в настоящее время наиболее экономичны. Состав кристалла с гетероструктурами на основе JnGaN/GaN, подбирается так, чтобы его спектр излучения соответствовал спектрам излучения люминофоров. Кристалл покрывается слоем геля с порошком люминофора так,
чтобы часть голубого
г) смешение
излучения трёх люминофоров (
Суммирование излучения СИД более трёх цветов даёт возможность получить белый свет с индексом цветопередачи Ra близким к 100%. Индекс цветопередачи для суммы голубого излучения СИД с излучением жёлто-зелёного люминофора ниже, чем для других способов, но он может быть улучшен применением дополнительного оранжево-красного люминофора.
Характерные спектры белых СИД показаны на рисунке 1.1.
Рисунок 1.1 - Характерный спектр излучения СИД белого свечения
Достигнутая световая отдача
СИД с белым свечением η=25 лм/Вт.
Эта величина превосходит
По сравнению с тепловыми ИС СИД имеют очень маленькие размеры и мощность не более 10 Вт. Для них требуется питание только постоянным током с соблюдением полярности. Излучение СИД может модулироваться с большой частотой и в широком диапазоне линейно изменяется с величиной питающего тока без существенного изменения цветности. Низкое напряжение питания, малые размеры, большой срок службы и «холодный» свет с широкой цветовой гаммой обеспечили массовое использование СИД в качестве индикаторных элементов, управляемых непосредственно от современной электроники, особенно в приборах с питанием от батареек [23,с69].
Стандартный
срок службы каждого СИД 50-100
тыс. ч. Срок службы СИД мало
зависит от небольших
Следовательно,
светодиодный светильник
Низкая рабочая температура СИД - системы позволяет использовать в них оптику и детали корпуса, изготовленные из полимеров, что также снижает стоимость [21,с.122]. В этом отношении СИД значительно превосходят ЛН, особенно при использовании на подвижных объектах, в том числе и в автомобилях с их широким диапазонам рабочих температур.
Вторая
группа «обычных» ИС включает
все РЛ ВД и НД. В спектре
излучения ГЛНД присутствуют
линии, типичные для
Конкуренцию ЛЛ могут
Простое
управление трёхцветными
Светодиодные осветители содержат либо один кристалл (тип прибора
У-345Бл), либо три - соединённых последовательно (У-342Бл), либо четыре
(У-337Бл). Параметры осветителей приведены в таблице 1.1 [24,с.89].
Таблица 1.1 - Электрические и световые светодиодные осветители белого свечения при
Тип светодиод ного осветителя |
Входные электричес-кие параметры |
Световые параметры |
лм/Вт |
|||||
Вт |
Ф,лм |
I,кд |
||||||
У-345Бл |
350 |
4,0 |
1,3 |
15…28 |
30…50 |
25 |
22 |
400 |
У-342Бл |
350 |
11,5 |
4 |
50…80 |
30…50 |
50 |
20 |
380 |
У-337Бл |
700 |
7,5 |
5 |
70…100 |
50…60 |
50 |
20 |
750 |
Итак, обобщая всё выше сказанное можно сделать выводы. Современные СИД излучают свет в диапазоне от УФ до дальней ИК области спектра. Действие большинства эффективных белых СИД основано на преобразовании УФИ (370 нм).
Преимущества светодиодных осветительных приборов:
- световая отдача выше, чем у
ЛН и ГЛН, малое потребление
энергии и малое
- возможность получения всех цветов свечения;
- низковольтность, безопасность при прикосновении;
- хорошая сочетаемость с внешней оптикой;
- отсутствие УФ излучения и в ряде случаев- ИК;
- высокая механическая прочность и надёжность;
- высокое быстродействие (наносекунды);
- высокий срок службы.