Автор работы: Пользователь скрыл имя, 27 Декабря 2014 в 23:23, доклад
Метод молекулярно-лучевой эпитаксии (molecular-beam epitaxy, MBE) предназначен для выращивания кристаллических структур в сверхвысоком вакууме с помощью пучков атомов или молекул, являющихся компонентами растущего соединения. Таким образом, MBE представляет собой усовершенствование обычного способа напыления металлических пленок испарением в вакууме. Принципы технологии MBE формулировались постепенно.