Лекция по"Импульсной технике"

  2 импульс также не вызывает опрокидывания схемы, т.к. на базе VT1 сохраняется высокий положительный потенциал. Импульсы 3,4,5 и 6 поступают  на базу открытого VT1 и по этому на вызывает опрокидывания схемы. 7 импульс поступает в тот момент, когда положительный потенциал на базе VT1 по абсолютной величине меньше амплитуды отрицательного синхроимпульса. VT1 открывается и начинается лавинообразный процесс опрокидывания схемы в результате кот. VT1- открывается, а VT2- закрывается. Таким образом 7 импульс производит опрокидывание схемы раньше, чем оно произошло бы в результате разряда конденсатора. Продолжительность открытого состояния VT1 зависит только от времени разряда С2 следовательно опрокидывание схемы произойдет раньше и к поступлению 9 импульса на базе VT1 будет малое положительное напряжение и опрокидывание схемы произойдет под действием синхроимпульса. То же самое произойдет с проходом 9,10 и т.д. импульсов, т.е. схема начнет работать в режиме синхронизации. При этом длительность запертого сост. VT1 определяется частотой поступающих синхроимпульсов, а длительность открытого состояния VT1 определяется временем разряда С2. В целом период колебаний определяется частотой следования синхроимпульсов. Следовательно начиная с 7 импульса мультивибратор работает в режиме синхронизации. Устойчивая синхронизация происходит когда частота следования синхроимпульсов больше частоты собственных колебаний мультивибратора. Обычно частоту синхронизации выбирают большую частоту мультивибратора в 1,2-1,4. В момент включения питания происходит лавинообразное опрокидывание схемы, не связанное опрокидывание схемы, не связанное с синхроимпульсами, а зависящее только от соотношения токов 2 открытых транзисторов. Если частота синхронизации много больше собств. частоты мультивибратора, то мультивибратор работает в режиме деления частоты. На выходе мультивибратора частота колебаний в целое число раз меньше частоты следования синхроимпульсов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16.4.Мультивибратор на логических элементах.

    В основной схеме мультивибратора, каждое плечо является инвертором, кот. может быть построен на элементах – «И-НЕ» и «ИЛИ-НЕ». В мультивибраторе на логических элементах во время лавинообразного процесса опрокидывания, действует положительная обратная связь. Обычно логические элементы строятся на м/с серии ТТЛ, т.к. мы используем схемы И-НЕ чтобы построить инвертор надо закоротить их входы. Выход 1-го элемента соединяется со входом 2-го элемента цепью С1 R2 и С2 Rh. VD1 и VD2 защищают м/с от значительных отрицательных перепадов напряжения кот. могут вывести м/с из строя. Так же как и в основной схеме длительные импульсы определяют t перезарядки конденсаторов.

 

17.Последовательный регистр.

 

В последовательных регистрах  число вводится и выводится последовательно разряд за разрядом. Разряды такого регистра соединены последовательно. Каждый разряд выдает информацию из предыдущего.

Для этого каждый разряд должен иметь 2 запоминающих элемента. В 1 передается информация из предыдущего разряда, одновременно 2 передает свою информацию в последующий разряд: затем информация, принятая первым элементом передается во 2, а 1 освобождается для приема новой информации.

Двухстепенный триггер представляет совокупность 2 запоминающих элементов, по этому он 1 может составлять разряд последовательного регистра.

Левый триггер предназначен для хранения старшего разряда числа, а правый для хранения младшего разряда.

 

 

18.Блокинг-генератор.

 

Может работать в режиме автогенератора в ждущем режиме и в режиме синхронизации. Предназначен для генерации кратковременных прямоугольных импульсов большой скважности. В блокинг-генераторе, как в любом автогенераторе должны выполняться условия баланса амплитуд и баланса фаз.

Баланс фаз обеспечивается импульсным трансформатором с встречным включением базовой и коллекторной обмоток, намотанных на общий ферритовый сердечник.

Напряжение в нагрузке может  сниматься с помощью нагрузочной  обмотки или с коллектора. При  изменении коллекторного тока в  ферритовом сердечнике наводится переменное поле, ветки которого охватывают коллекторные и базовые обмотки. За счет этого поля базовой обмотки наводится ЭДС, которая прикладывается к базе в такой полярности, что изменение базового тока способствует еще большему изменению тока коллектора.

Начнем рассмотрение работы блокинг-генератора с момента  времени T1, когда напряжение на разряжающемся конденсаторе спадает до нуля и транзистор открывается. Возрастающий коллекторный ток создает переменное магнитное поле, силовые линии которого охватывают базовые и коллекторные катушки. Этот магнитный поток наводит ЭДС в базовой обмотке, которая способствует еще большему увеличению коллекторного тока. Положительная обратная связь действует только во время лавинообразного процесса опрокидывания. За короткий интервал времени от Т1 до Т2 транзистор из режима усиления, в котором происходило опрокидывание переходит в режим насыщения при котором ток коллектора остается почти постоянным и не зависит от изменения напряжения на базе. Потенциал коллектора открытого транзистора близок к нулю. За время Т1, Т2 потенциал базы лавинообразно достигает большого отрицательного значения. Во время формирования вершины импульса конденсатор заряжается через переход база эмиттер открытого транзистора т.к. сопротивление эмиторного перехода мало, то напряжение на конденсаторе возрастает быстро, увеличивается t, приложенный к базе следовательно уменьшается базовый ток.

Уменьшение тока базы приводит к  ускоренному рассасыванию избыточного  заряда в базе. Транзистор выходит из насыщения формирования плоской вершины завершается,  начинается  лавинообразный процесс опрокидывания. Транзистор находится в активной области отрицательный потенциал базы уменьшается. Ток через индуктивность не исчезает и не появляется скачком. По этому на базе и коллекторе появляются выбросы напряжений. Колебательный контур образованный катушками индуктивности между витковыми емкостями, паразитными емкостями транзистора создает условия для возникновения свободных колебаний. Чтобы срезать нежелательные выбросы, создаваемые этими колебаниями параллельно коллекторной обмотки включается цепочка из диода VD и R шунта.

R дополнительное в цепи базы включается, если необходимо увеличить время зарядка конденсатора перезаряжается конденсатор при закрытом транзисторе через базовую обмотку и источник коллекторного питания.