Разработка конструкции и технологии изготовления логического элемента в интегральном исполнении

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 13 Июля 2013 в 10:04, курсовая работа

Краткое описание

Цель работы — приобрести навыки самостоятельного решения инженерных задач по разработке конструкции и технологии микросхем.
В схему данного прибора входят: резисторы, конденсаторы, диоды и транзисторы. В данной работе разрабатываются все этапы от анализа технического задания до выпуска конструкторской (КД) и технологической (ТД) документации для производства триггера в интегральном исполнении. Основными этапами являются: выбор материалов пленочных резисторов, проводников, подложки, а также конструкции корпуса, навесных компонентов и технологического оборудования. Разрабатываются топология платы, технологический процесс изготовления платы и сборки всей микросхемы на основе типовых технологических процессов.

Содержание

РЕФЕРАТ....................................................................................................................5
ВВЕДЕНИЕ.................................................................................................................6
1 АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ...........................................................7
1.1 Состав технического задания............................................................................7
1.1.1 Электрические требования.......................................................................7
1.1.2 Конструктивные требования....................................................................7
1.1.3 Производственно-технологические требования.....................................7
1.1.4 Эксплуатационные требования................................................................7
1.1.5 Дополнительные требования....................................................................8
1.2 Обеспечение технических требований.............................................................8
1.3 Анализ элементной базы....................................................................................8
2 ВЫБОР И ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА МАТЕРИАЛОВ...............................9
2.1 Резистивные материалы.....................................................................................9
2.2 Проводниковые материалы.............................................................................10
2.3 Материал подложки.........................................................................................10
3 РАСЧЕТ КОНСТРУКЦИИ ПЛАТЫ................................................................12
3.1 Расчет геометрических размеров плёночных резисторов............................12
3.1.1 Расчёт коэффициента формы резисторов.............................................15
3.1.2 Расчёт геометрических размеров резисторов с Кф<1...........................15
3.2 Конструкторско-технологические требования к навесным
компонентам.....................................................................................................17
3.3 Расчет и выбор типоразмера платы................................................................18
4 РАЗРАБОТКА СХЕМЫ КОММУТАЦИИ И АНАЛИЗ КАЧЕСТВА
ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ЧЕРТЕЖА….............................................................19
5 РАСЧЕТ КОНСТРУКЦИИ КОРПУСА….......................................................21
5.1 Расчет типоразмера корпуса............................................................................21
5.2 Обоснование выбранной конструкции корпуса............................................23
5.2.1 Описание конструкции корпуса.............................................................23
5.2.2 Обоснование выбора материалов корпуса............................................23
5.3 Выбор и обоснование метода герметизации..................................................24
5.4 Контроль герметичности корпуса...................................................................25
6 ВЫБОР И ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА МЕТОДОВ
МИКРОКОНТАКТИРОВАНИЯ НАВЕСНЫХ КОМПОНЕНТОВ,
КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК ПЛАТЫ И ВЫВОДОВ КОРПУСА..........27
7 РАЗРАБОТКА МАРШРУТНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ
ПРОЦЕССОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИС...........................................................29
7.1 Технологический процесс изготовления платы............................................29
7.2 Технологический процесс сборки ГИС..........................................................34
8 ОПИСАНИЕ И ОБОСНОВАНИЕ РАЗРАБОТАННОЙ МАРШРУТНОЙ
ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИС. ВЫБОР И ОБОСНОВАНИЕ
ВЫБОРА СООТВЕТСТВУЮЩЕГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО
ОБОРУДОВАНИЯ...............................................................................................38
8.1 Описание и обоснование разработанной маршрутной технологии
изготовления ГИС. Выбор и обоснование выбора соответствующего
технологического оборудования....................................................................38
8.2 Технические характеристики используемого оборудования.......................43
ВЫВОДЫ..................................................................................................................49
ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК...........................................................

Прикрепленные файлы: 1 файл

ПЗ.docx

— 727.69 Кб (Скачать документ)

Масса, кг                                                                                                               5

 

Установка контроля герметичности вакуумно-жидкостным методом типа КГЖ (дЕ2.950.015)

Предназначена для контроля герметичности корпусов микросхем вакуумно-жидкостным методом.

Техническая характеристика

Производительность, корпусов/ч                                                           не более 200

Размеры рабочей  камеры, мм:

      диаметр                                                                                                                67

      высота                                                                                                                  90

Предельное  давление вакуумной системы, мм.рт.ст.                              0,5…0,001

Потребляемая  мощность, кВт                                                                                 0,6

Питание от сети переменного тока:

     напряжение, В                                                                                              220/380

     частота, Гц                                                                                                             50

Габаритные  размеры, мм                                                                        680´750´930

Масса, кг                                                                                                                   160

 

Полуавтоматическая  установка УКГМ-2

Предназначена для контроля герметичности масс-спектрометрическим методом снабжена поворотной трехпозиционной каруселью.

Техническая характеристика

Производительность, шт/ч                                                                              120 

Внутренние  размеры (диаметр∙высота), мм                                             72´52                          

Максимальная  чувствительность установки к потоку гелия, см3*Па/с    10-9

Верхний предел отбраковки корпусов по потоку гелия, см3*Па/с      1.3*10-4

    1. Расход  воды при давлении 0,3…0,5 МПа, л/ч                                               80

Расход сжатого воздуха при давлении 0,1…0,4 МПа, л/ч                            0,5

Расход  жидкого азота, л/ч                                                                              0,25

Потребляемая  мощность, кВт                                                                            5

Габариты, мм                                                                               2155´880´1250                              

Масса, кг                                                                                                           700

 

 

 

ВЫВОДЫ

В данной работе выполнены все этапы проектирования от анализа технического задания до выпуска конструкторской (КД) и технологической (ТД) документации для производства логического элемента в виде ГИС. Каждый этап выполнен с обоснованием выбранного решения, с оптимизацией параметров и качества выполняемого изделия. В процессе работы выбраны материалы пленочных резисторов, проводников, подложки, а также конструкция корпуса, навесные компоненты и технологическое оборудование; разработана топология платы; разработан технологический процесс изготовления платы и сборки всей ИМС на основе типовых технологических процессов. Данная работа может использоваться в качестве примера исполнения гибридного конструктивно-технологического варианта изготовления интегральных микросхем. В результате выполнения работы получены навыки по проектированию изделий микроэлектронной аппаратуры, по системному анализу базовой и справочной информации, необходимой для разработки конструкции и технологиям изготовления изделия в интегральном исполнении.

Конструкторская и технологическая  документации соответствуют требованиям  ЕСКД и ЕСТД. Комплект КД выполнен с использованием программ – КОМПАС и AutoCAD.

Разработанная ГИС соответствует требованиям технического задания.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПЕРЕЧЕНЬ  ССЫЛОК

 

  1. Парфенов О. Д. Технология микросхем: Учеб. пособие для вузов по спец. «Конструирование и пр-во ЭВА». – М.: Высш. шк., 1986. – 320 с., ил.
  2. Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991. – 528 с.: ил.
  3. Методические указания к курсовому проекту по дисциплине «Конструирование и технология микросхем» для студентов специальности 0705/Сост. А. С. Антоненко. – Запорожье: ЗМИ, 1985. – 16 с.
  4. Методические указания к лабораторному занятию №1 «Расчет пассивных элементов ГИС» по дисциплине «Конструирование и технология микросхем» для студентов специальности 0705/Сост. А. С. Антоненко. – Запорожье: ЗМИ, 1985. – 27 с.
  5. Матсон Э. А., Крыжановский Д. В. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Мн.: Высш. школа, 1982. – 224 с., ил.
  6. Коледов Л. А. Технологии и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. – М.: Радио и связь, 1989. – 400 с.: ил.
  7. Методические указания к лабораторному занятию №2 «Разработка топологического чертежа» по дисциплине «Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров» для студентов специальности 0705 всех форм обучения/Сост. А. С. Антоненко, Е.  С. Пономаренко. – Запорожье: ЗМИ, 1988. – 24 с.
  8. ОСТ 4Г0.054.028 – «Микросхемы интегральные гибридные тонкопленочные первой и второй степеней интеграции. Типовые технологические процессы».

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Информация о работе Разработка конструкции и технологии изготовления логического элемента в интегральном исполнении