Обращенный диод

МИНОБНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное  бюджетное учреждение

Высшего профессионального  образования

“Московский государственный  технический университет радиотехники,

электроники и  автоматики”

 

 

 

Реферат на тему:

 

«Обращенный диод»

 

по дисциплине Твердотельная  электроника

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выполнил студент группы ЭЭ-2-09

Юрьев Г.А.

Руководитель Колесникова  Т.Г.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Москва 2013

Обращенный диод – диод на основе полупроводника с критической концентрацией  примесей, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно  больше, чем при прямом напряжении.

Принцип действия обращенного диода  основан на использовании туннельного  эффекта. Но в обращенных диодах концентрацию примесей делают меньше, чем в обычных туннельных. Поэтому контактная разность потенциалов у обращенных диодов меньше, а толщина р-n- перехода больше. Это приводит к тому, что под действием прямого напряжения прямой туннельный ток не создается. Прямой ток в обращенных диодах создается инжекцией не основных носителей зарядов через р-n- переход, т.е. прямой ток является диффузионным. При обратном напряжении через переход протекает значительный туннельный ток, создаваемый перемещение электронов сквозь потенциальный барьер из р- области в n-область. Рабочим участком ВАХ обращенного диода является обратная ветвь.

Таким образом, обращенные диоды обладают выпрямляющим эффектом, но пропускное (проводящее) направление у них  соответствует обратному включению, а запирающее (непроводящее) – прямому  включению.

Вольт-амперная характеристика обращенного диода

 

Статическая характеристика обращённого диода

 

Как видим, особенность этого  диода состоит в том, что на прямой ветви отсутствует (или очень  мал) максимум. В этом случае логично  повернуть характеристику на 180⁰ (показана пунктиром) и считать прямую ветвь обратной, а обратную - прямой. При этом, обращённый диод имеет значительно меньшее прямое (т.е. на самом деле - обратное) напряжение, чем обычные диоды (оно составляет величины порядка 0,01...0,1 В в отличие от 0,4... 0,6 В для обычных диодов), что очень ценно для многих применений. Однако его обратное (т.е. на самом деле - прямое) напряжение тоже весьма мало (0,3... 0,6 В) и с этим нужно считаться при расчёте схем.

Диоды этого типа применяются  в детекторах и смессителях сигналов СВЧ диапазона.