Анализ основных неисправностей сотовых телефонов и формирование рабочего участка их устранения

По окончании этой проверки, если неисправность все еще не устранена, проверяют величину напряжений VRAD (точка Р501 на рис. 2.10), VVCO и VRPAD (см. рис. 2.14), которые должны составлять 3,8 В. Напряжение на нее подается через  два резистора, и в том случае, если телефон работает на передачу (ведется разговор), оно будет  меньше нормы. Поэтому при его  проверке телефон должен находиться в дежурном режиме работы только на прием. Если напряжения VRAD или VVCO не соответствуют  норме, измеряют сопротивление между  шинами, по которым они подаются и общим проводом (не менее 25 кОм). Если напряжение VRAD выше нормы, заменяют стабилизатор N452.

Далее измеряют сопротивление  между шиной напряжения VBATT (см. рис. 2.10) и общим проводом (не менее 200 кОм). Низкая его величина свидетельствует  о коротком замыкании.

6. Телефон работоспособен, пока удерживается нажатой кнопка On/Off

После внешнего осмотра измеряют напряжение на конденсаторе C692 (3,1 В, см. рис. 2.12). Если напряжение в норме, нужно  убедиться в качестве пайки выводе 119 микросхемы D600: при хорошей пайке  можно сделать вывод о необходимости  замены этой микросхемы. Если же напряжение на С692 отсутствует, измеряют сопротивление  между его выводами (не менее 200 кОм). Сопротивление меньше нормы —  конденсатор заменяют, в норме  — проверяют напряжение на выводах  микросхемы N706 (рис. 2.16): на выводе 2 должно быть напряжение VBATT, на выводе 1 — 0 В (соединен с общей шиной), на выводе 3 — выходное напряжение 3,5 В. Отсутствие напряжения VBATT свидетельствует о том, что  имеет место обрыв дорожки  печатной платы. А если это напряжение на микросхему подается, но на ее выходе ничего нет, микросхему нужно менять.

В том случае, если все  напряжения оказались в норме, измеряют напряжение VRTC между положительным  выводом конденсатора С720 и общим  проводом (см. рис. 2.16). Если напряжение отсутствует, следует заменить микросхему V711. Если же оно в норме, выключают  питание и измеряют сопротивление  между положительными выводами конденсаторов C720 (см. рис. 2.16) и С692 (см. рис. 2.12), которое  должно быть равно нулю. Наличие  сопротивления говорит об обрыве дорожки печатной платы.

 

 

Рис. 2.16

7. Не обеспечивается запись во  флэш-память телефона

При такой неисправности сначала  проверяют состояние ЖК-дисплея, аккумуляторной батареи и системного соединителя. Включают телефон. Далее  проверяют напряжения VANA и VDIG, которые  должны составлять 3,3 В (см. рис. 2.12 и 2.13). Если они ниже нормы, тогда при  выключенном телефоне измеряют сопротивления  между „горячими” шинами этих напряжений и общим проводом. Они должны составлять не менее 500 Ом для VDIG и 25 кОм для VANA. При соответствии сопротивлений  этим величинам следует заменить соответствующий стабилизатор напряжения: для VDIG — N702, для VANA — N700. Если же хотя бы одно из сопротивлений близко к нулю, возможно, произошло замыкание по цепи питания. В том случае, если какое-либо из этих напряжений выше нормы, заменяют соответствующий стабилизатор.

Далее измеряют напряжение сигнала сброса на конденсаторе С710 (см. рис. 2.12). Оно должно быть больше 3 В. Если же оно меньше 3 В, заменяют С710 и снова измеряют напряжение. Если замена ничего не дала, тогда следует  поменять микросхему N703.

После этого проверяют  напряжения VRAD (см. рис. 2.10) в точке  Р501, VVCO и VRAD (см. рис. 2.14). Их величина должна составлять 3,8 В. Если напряжение VRAD ниже нормы, при выключенном телефоне измеряют сопротивление между контрольной  точкой Р501 и общим проводом. Оно  должно быть не менее 25 кОм. Если сопротивление  в норме, заменяют микросхему N452, а  если оно равно нулю или близко к этому, то это свидетельствует  о коротком замыкании.

Если напряжение VRAD выше нормы, заменяют стабилизатор N452.

 

8. Не работает наушник  телефона

Основные причины выхода наушника из строя — механические. Поэтому при такой неисправности  лучший способ его проверки состоит  в замене наушника на заведомо исправный. Если замена ничего не дала, проверяют  качество пайки и отсутствие механических повреждений у соединителя X810 (рис. 2.17).

 

                        

Рис. 2.17

9. Не работает микрофон

Для устранения неисправности промывают  системный соединитель и контакты площадки для подключения микрофона. Далее пробуют заменить микрофон и системный соединитель, если же эта мера результата не дала, то измеряют сопротивление между выводами конденсаторов C850, C851. Оно должно быть не менее 100 кОм. Затем измеряют сопротивления резисторов R817, R819 (1 кОм, рис. 2.18), R816 (470 Ом, рис. 2.19), проверяют качество пайки выводов  микросхемы N800.

 

 

Рис. 2.18

 

 

 

Рис.2.19

10. Не работают наушник  и микрофон

При возникновении такой  неисправности сначала проверяют  состояние контактов системного соединителя и контактных площадок, а также элементов, показанных на рис. 2.20, и очищают их от загрязнений  и окислов. Если это не дало результатов, телефон включают и измеряют напряжение VDSP, которое должно составлять 4,9 В (см. рис. 2.18). Если напряжение ниже нормы  — заменяют микросхему N701 (см. рис. 2.18). Если нет результата, следовательно, имеется короткое замыкание в  цепи питания по шине VDSP.

Далее измеряют напряжение относительно общего провода на выводах  резистора R601 и на выводе 70 микросхемы D600, которое должно составлять 5 В (рис. 2.18, 2.21), напряжение на выводах резистора R605 и на выводе 67 микросхемы D600, которое  также должно составлять 5 В. Если это  напряжение меньше 5 В только на одном  из выводов резистора, резистор подлежит замене. Если же оно меньше 5 В на обоих выводах, тогда следует  проверить напряжение VSIMPAD на маркированных  выводах резисторов R601, R605. Оно должно составлять 5 В. Если здесь напряжение отсутствует, проверяют сопротивление  между маркированным выводами этих резисторов и выводе 3 микросхемы N705 (см. рис. 2.19, 2.20 и 2.21). Оно должно быть равно нулю. Наличие сопротивления  свидетельствует об обрыве дорожки  печатной платы.

 

 

 

Рис.2.20

 

 

 

                           

Рис. 2.21

 

Если  напряжение VSIMPAD в норме, измеряют сопротивление  между выводами резисторов R635, R636, которое  должно быть более 100 кОм (см. рис. 2.19, 2.20). Если сопротивление слишком маленькое, контакты системного соединителя протирают  и производят измерение вновь. После  этого, если сопротивление по-прежнему мало, выпаивают резистор R601 (см. рис. 2.18) и снова измеряют сопротивление.

Если оно увеличилось, замене подлежит микросхема D600. Далее  измеряют сопротивление между выводом 3 соединителя X602 и общим проводом (рис. 2.22). Оно должно быть не менее 100 кОм. Меньшее сопротивление может  иметь место при окислении  выводов у элементов C813, R803, R804. Если сопротивление все еще остается меньше нормы, выпаивают резистор R605 и производят измерения снова: при  увеличении сопротивления замене подлежит микросхема D600.

 

 

Рис. 2.22

 

 

Кроме того, при выявлении  причин этой неисправности следует  измерить напряжение на выводах резистора R601 (норма — 0 В, см. рис. 2.22) и на выводе 70 микросхемы D600 (0 В, см. рис. 2.21). Если напряжение вне нормы, пропаивают вывод 70 микросхемы D600 и после этого измеряют сопротивление  резистора R601, которое должно составлять 1 кОм. Если предпринятые меры результата не дали, проверяют качество пайки  выводов микросхем N800 и D600 (см. рис. 2.18 и 2.21).

Сокращения, принятые при обозначениях на схеме  и плате

В ремонтной практике часто возникают  затруднения при идентификации  того или иного компонента, связанные  с тем, что, производители применяют  свои внутрифирменные обозначения. Ниже приведены сокращения (см. табл. 1):

Таблица 1.

Сокращение	Элемент (сигнал, напряжение)
B	Кварцевый резонатор
C	Конденсатор
D	Цифровая микросхема
F	Элемент защиты от перенапряжений (варистор)
H	Зуммер, светодиод, кнопка
J	Соединитель
L	Катушка индуктивности
N	Аналоговая микросхема
R	Резистор
S	Кнопка клавиатуры
U	Согласующее устройство (BALUN)
V	Транзистор, диод
X	Контакт на печатной плате
Z	Фильтр
DCIO	Напряжение заряда, поступающее  через системный соединитель
GND	Земля, общий провод
EL_HIGH; EL_LOW	Логический сигнал включения подсветки
ONSWAn	Напряжение включения телефона, поступающее с кнопки "On/Off"
RTC	Часы реального времени
SIMCLK	Сигнал процессора, используемый для  связи с SIM-картой, сигнал синхронизации (Clock)
SIMDAT	Сигнал процессора, используемый для  связи с SIM-картой, сигнал данных (Data)
SIMRST	Сигнал процессора, используемый для  связи с SIM-картой, сигнал сброса (Reset)
SIMVCC	Напряжение питания SIM-карты
VBATT	Напряжение аккумуляторной батареи
VCORE	Напряжение питания ядра процессора и памяти в режиме ожидания (его  значение ниже, чем VDIG)
VDIG	Напряжение питания процессора и памяти в рабочем режиме
VDSPC	Напряжение питания цифрового  сигнального процессора (DSP)
VLCD	Напряжение регулировки контрастности  ЖК дисплея
V380B	Напряжение питания радиотракта  телефона
VRTC	Напряжение питания часов реального  времени
VVCO	Напряжение питания синтезатора  частоты
I2C	Стандарт обмена данными только по двум проводам посредством передачи сигналов синхронизации и данных

2.4 Технология восстановления поврежденных  контактных площадок микросхем  в корпусе BGA.

Во  время отпаивания подобных микросхем  бывает так, что обрываются «пятачки». Если нет под рукой идентичной микросхемы, которой можно было бы заменить испорченную, то можно попробовать  восстановить целостность контактных площадок. Производится данная операция следующим образом:

Снимаем микросхему, залуженную паяльником, снимаем  припой,  ватной палочкой, смоченной  растворителем, убираем флюс под  микроскопом проводим диагностику  пятаков, а именно скальпелем (или  тонким острым предметом) проверяем  их на подвижность, каждый, который  хоть немного дышащий бракуем (уходящие во внутренний слой срываем) у забракованных  пятаков подходящие дорожки зачищаем скальпелем от начала пятака (длинна зачистки небольшая), внутренние - тем же скальпелем добираемся до переходной площадки и делаем её побольше (рис. 2.42):

 

Рис. 2.42

 

Берем провод, залуживаем его, нанося на него флюс, проходя паяльником с каплей припоя, чтобы припой обволакивал  провод, далее скальпелем нарезаем кусочками проволоку, максимальная длинна до 1мм и менее, иголкой берем  немножко пасты для накатки и  наносим на зачищенную поверхность  дорожки, распределяем её равномерно, лишнее убираем, много ёё не нужно, на внутренние нужно больше, тойже иголкой  берем кусочки проволоки и  кладем их на дорожки с пастой.

 

 

 

Рис. 2.43

 

 

 

Рис. 2.44

 

Устанавливаем фен на минимальный поток с  темп 350 и наводим на нужные места  пайки, проволока моментально срастается с дорожкой, образуя прочное соединение, а на внутренних пятачках образуется новый пятак.

 

 

 

Рис. 2.45

 

3. Влияние СВЧ излучения сотовых телефонов на здоровье.

3.1.1 Система сотовой радиотелефонной связи

Сотовая радиотелефония является сегодня  одной из наиболее интенсивно развивающихся  телекоммуникационных систем. В настоящее  время во всем мире насчитывается  более 85 миллионов абонентов, пользующихся услугами этого вида подвижной (мобильной) связи (в России – более 600 тысяч).

Основными элементами системы сотовой  связи являются базовые станции (БС) и мобильные радиотелефоны (МРТ). Базовые станции поддерживают радиосвязь с мобильными радиотелефонами, вследствие чего БС и МРТ являются источниками  электромагнитного излучения в  УВЧ диапазоне.

Важной особенностью системы сотовой  радиосвязи является весьма эффективное  использование выделяемого для  работы системы радиочастотного  спектра (многократное использование  одних и тех же частот, применение различных методов доступа), что  делает возможным обеспечение телефонной связью значительного числа абонентов. В работе системы применяется  принцип деления некоторой территории на зоны, или "соты", радиусом обычно 0,5–10 километров.

Некоторые технические характеристики действующих в настоящее время  в России стандартов системы сотовой  радиосвязи приведены в таблице 2.

Таблица 2.

Краткие технические характеристики стандартов системы сотовой радиосвязи, действующих в России:

Наименование стандарта	Диапазон рабочих частот БС	Диапазон рабочих частот МРТ	Максимальная излучаемая мощность БС	Максимальная излучаемая мощность МРТ	Радиус "соты"
NMT450 аналоговый	463–467,5 МГц	453–457,5 МГц	100 Вт	1 Вт	1 – 40 км
AMPS аналоговый	869–894 МГц	824 – 849 МГц	100 Вт	0,6 Вт	2– 20 км
D-AMPS(IS-136) цифровой	869 – 894 МГц	824 – 849 МГц	50 Вт	0,2 Вт	0,5 – 20 км
CDMA цифровой	869 – 894 МГц	824 – 849 МГц	100 Вт	0,6 Вт	2 – 40 км
GSM-900 цифровой	925 – 965 МГц	890 – 915 МГц	40 Вт	0,25 Вт	0,5 – 35 км
GSM-1800 (DCS)цифровой	1805 – 1880 МГц	1710 – 1785 МГц	20 Вт	0,125 Вт	0,5 – 35 км

Гигиеническими нормативами ГН 2.1.8./2.2.4.019-94 "Временные допустимые уровни (ВДУ) воздействия электромагнитных излучений, создаваемых системами сотовой радиосвязи" (см. таблицу 3).