Автор работы: Пользователь скрыл имя, 30 Мая 2013 в 23:35, курсовая работа
Линейные усилители предназначены для усиления напряжения. Эти усили-тели по своему устройству практически не отличаются от широкополосных. Одна-ко их проектирование имеет некоторые особенности. Для линейного усиления ис-пользуют транзисторы низких или средних частот. Транзисторы в линейных каска-дах обычно включают с общим эмиттером (ОЭ).
1 Введение 4
2 Описание выбранной схемы линейного усилителя 5
3 Расчет линейного усилителя 6
3.1.1 Выбор транзистора оконечного каскада 6
3.1 .2 Расчет элементов, задающих рабочий режим каскада 6
3.2.1 Выбор транзистора предоконечного каскада 7
3.2 .2 Расчет элементов, задающих рабочий режим каскада 8
3.3 Расчет элементов, задающих рабочий режим каскада
предварительного усиления 9
3.4 Расчет элементов, задающих рабочий режим
входного каскада 10
3.5 Расчёт разделительных конденсаторов 11
3.6 Расчёт шунтирующих конденсаторов 11
3.7 Моделирование рассчитанной схемы усилителя
в пакете MicroCap V 12
Библиографический список 13
Заключение 14
Приложение 1 Структурная схема ЛУ 15
Приложение 2 Принципиальная электрическая схема 18
Приложение 3 Полученные осциллограммы 21
Приложение 4 Спецификация на элементы схемы 25
Приложение 5 ВАХи транзисторов 2
Допускаю к защите
Зав. кафедрой РЭС
__________ Е.П. Петров
"___"___________2002 г
Спецификация на элементы схемы
Разработал студент гр. БРА-22 ______________________ / Горинов С.В./
Руководитель ст. преподаватель ______________________ / Медведева Е.В./
Позиция обозначения |
Наименование |
Кол-во |
Примечание |
C1 |
К50-32А (80х160) мкФ х В |
1 |
|
C2 |
К53-1 (9х25) мкФ х В |
1 |
|
C3 |
К50-32А (160х160) мкФ х В |
1 |
|
C4 |
К50-32А (40х160) мкФ х В |
1 |
|
C5 |
К50-32А (4х160) мФ х В |
1 |
|
C6 |
К50-32А (40х160) мкФ х В |
1 |
|
C7 |
К50-32А (160х160) мкФ х В |
1 |
|
C8 |
К50-32А (20х160) мкФ х В |
1 |
|
R1 |
МЛТ-0.25 100 кОм ± 5% |
1 |
|
R2 |
МЛТ-0.25 300 Ом ± 5% |
1 |
|
R3 |
МЛТ-0.25 2 кОм ± 5% |
1 |
|
R4 |
МЛТ-0.25 28 кОм ± 5% |
1 |
|
R5 |
МЛТ-0.25 100 кОм ± 5% |
1 |
|
R6 |
МЛТ-0.25 5 кОм ± 5% |
1 |
|
R7 |
МЛТ-0.5 9 кОм ± 5% |
1 |
|
R8 |
МЛТ-0.25 300 Ом ± 5% |
1 |
|
R9 |
МЛТ-0.25 1.98 кОм ± 5% |
1 |
|
R10 |
МЛТ-0.25 40 Ом ± 5% |
1 |
|
R11 |
МЛТ-0.25 198 Ом ± 5% |
1 |
|
R12 |
МЛТ-0.25 1 кОм ± 5% |
1 |
|
R13 |
МЛТ-0.25 500 Ом ± 5% |
1 |
|
R14 |
МЛТ-0.25 100 Ом ± 5% |
1 |
|
R15 |
МЛТ-0.25 100 Ом ± 5% |
1 |
|
VT1 |
КП303Г |
1 |
|
VT2, VT3 |
КТ603А |
2 |
|
VT1 |
КТ815Б |
1 |
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ
Допускаю к защите
Зав. кафедрой РЭС
__________ Е.П. Петров
"___"___________2002 г
Вольт - амперные характеристики транзисторов
ЛИСТ УТВЕРЖДЕНИЯ
Разработал студент гр. БРА-22 ______________________ / Горинов С.В./
Руководитель ст. преподаватель ______________________ / Медведева Е.В./
Киров 2002
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ
Утверждён
ТПЖА. 63239
Допускаю к защите
Зав. кафедрой РЭС
__________ Е.П. Петров
"___"___________2002 г
Вольт - амперные характеристики транзисторов
Разработал студент гр. БРА-22 ______________________ / Горинов С.В./
Руководитель ст. преподаватель ______________________ / Медведева Е.В./
ВАХ транзистора КТ315Б
ВАХ транзистора КТ603А