Автор работы: Пользователь скрыл имя, 22 Апреля 2012 в 18:15, курсовая работа
Усиление представляет собой процесс повышения энергии сигнала, в результате воздействия на него источника энергии. От источника энергии, называемого источником питания, потребляется мощность Р0, часть которой Р2, называемая выходной мощностью, в преобразованном виде передаётся нагрузке. Для преобразования мощности Р0, чаще всего в виде мощности постоянного тока, в мощность Р2, как правило, переменного тока затрачивается мощность Р1, получаемая от источника сигнала и называемая входной. Отсюда следует, что усиление представляет собой процесс увеличения мощности сигнала. Устройство, обладающее способностью усиливать мощность источника сигнала, называется усилителем .
Для получения оптимальной схемы
усилителя предпочтительно
А) минимальное значение питающего напряжения;
Б) как можно меньший ток коллектора для максимально возможного усиления;
В) небольшую мощность рассеивания коллектора для увеличения КПД;
Г) максимально возможное КПД усилителя.
Анализ показывает, что в случае Rк =3*Rн получаем сравнительно небольшое напряжение питания, небольшую величину рассеиваемой на коллекторе мощности, приемлемое значение тока коллектора. КПД при этом значении Rк не намного больше максимального.
Следовательно Rк=3*Rн в [Ом].
Выбираем из ряда Е24 Rk=(2400(+-)5%) Ом
Теперь можно найти Rэ из соотношения данного на лекциях в Омах [Ом]:
Выбираем из ряда Е24 Rэ=(240(+-)5%) Ом.
Зная Rk и Rн найдем сопротивление нагрузки по переменной составляющей:
Зная сопротивление нагрузки по переменной составляющей, найдем максимальный ток коллектора в Амперах [А]:
Теперь можно выбрать
Iкдоп>Iкmax=0.024 А
Pкдоп> Pкmax=0.083 Вт
Uкэдоп>Eкmin=35.355 В
Выберем маломощный высокочастотный транзистор КТ361В, см. [1)].
Характеристика КТ361В:
Кремниевый планарно-
Может работать в паре с КТ315А-КТ315И.
Корпус пластмассовый
Масса не более 0,3 г.
Максимально допустимые параметры:
Максимальный обратный ток коллектора Iк0 при Т=+1000С 25 мкА
Максимальное напряжение насыщения UКЭнасmax 0,4 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 40min – 160max
Типовое значение коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ 60
Емкость коллекторного перехода Ск(э)
Постоянный ток коллектора
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Постоянная рассеиваемая мощность
Температура окружающей среды
Примечание: при повышении температуры более +35 Ркmax=(120-Тс)/Rт, где Rт=0.4оС/Вт
Возьмем типовое значение β=60
Выберем рабочую точку транзистора[5]:
Выбор Iok:
Т.к рабочая температура выше температуры нормальных условий, то возьмем максимальный тепловой ток коллектора IКоmax 1 мкА, см. характеристики транзистора.
Тогда в Амперах [А]:
Выбор Uокэ:
Тогда в [В]:
Выбор Ек:
По второму закону Кирхгофа EК=UоRк + UоКЭ + UоRэ, т.к. токи Ik и Iэ примерно равны, то можно принять IК=IЭ, тогда Ек в [В]:
Выбираем из ряда напряжений ЕК=40 В(список литературы [4)]).
Найду ток покоя базы в [А]:
Выберем:
Uoкэ=10В и Iok=24мА (см. приложение )
Теперь можно найти
Расчет резистивного делителя:
Ток делителя будет равен IД= (2...10)*IоБ, значение в скобках возьмем равным 6.
Получается в [A] :
Теперь можно рассчитать первое сопротивление делителя:
Выбрал из ряда Е24 в [Ом](+-)5%:
Далее рассчитаем второе сопротивление делителя в [Ом]:
Выберем из ряда Е24(+-)5% :
Рассчитаем мощность выделяющуюся на сопротивлениях RБ1, RБ2, RЭ, RК в [Вт]:
Входное сопротивление транзистора найдем по входной характеристике, зная его, можно найти входное сопротивление всего каскада (см. приложение) в [Ом]:
rвх= = 400 Ом= rvx=
Найдем rкэ по выходной характеристике(см. приложение) в [Ом]:
Теперь имеются все данные для расчета сквозного коэффициента передачи каскада:
= 25.341
Погрешность между рассчитанным и заданным коэффициентами передачи напряжения в[ %]:
Где KuScvoz- пересчитанный коэффициент передачи и Kuscvoz- заданный коэффициент передачи.
Уложились в 10%.
Расчет конденсаторов:
Производится по следующим соотношениям, см. список литературы [5]:
Первый разделительный конденсатор:
Эмиттерный конденсатор:
Второй разделительный конденсатор:
Где:
Rвых=Rk//rk(э)
r’вх=rвх+( +1)rэ
R’вх=Rб//r’вх
ωн- нижняя частота
Мнi- коэффициент частотных искажений
Будем полагать, что частотные искажения распределены между конденсаторами поровну.
Тогда можем записать:
А нижняя частота в [рад/с]:
Расчетные значения емкостей в [Ф]:
Суммарная ёмкость получилась большой, это значит, что нужно перераспределить коэффициенты частотных искажений на каждую ветвь с конденсатором в [Ф]:
Суммарная ёмкость уменьшилась.
Выберем алюминиевые оксидно-электролитические конденсаторы из справочника [2] и пересчитаем коэффициент частотных искажений на нижней частоте в[Ф] :
Коэффициент частотных искажений уменьшился, значит входим в условия технического задания.
Проверка транзистора на верхних частотах , см. список литературы [5)]:
Где:
Верхняя частота в [рад/с]:
Коэффициент частотных искажений на верхней частоте, равный Mv2:
Транзистор полностью
5. Графическая часть работы:
a)Чертежи используемые для графоаналитического расчета [1]:
Статические выходные и входные ВАХ транзистора:
Нагрузочная прямая по постоянному току: Ek=Ukэ+Ik*Rk+Iэ*Rэ
Для построения возьмем две точки: (Ukэ=Ek; Ik=0) и (Ukэ=0; Ik=E/(Rk+Rэ))
Нагрузочная прямая по переменному току: ∆uкэ=Uokэ-∆ik*Rн~
Для построения возьмем две точки: (Uokэ; Iok) и (Ukэ=0: Ik=Uok/Rн~+Iok)
б) Сфазированные диаграммы токов и напряжений в характерных точках схемы:
в)Принципиальная схема:
г) Спецификация элементов:
6. Вывод:
По выданному техническому заданию был спроектирован RC-усилитель на биполярном высокочастотном транзисторе КТ361В. Работает усилитель в небольшом диапазоне частот. Массогабаритные параметры небольшие, учитывая параметры и размеры элементов. Так как Ku=25 по техническому заданию, то схема включения с общим эмиттером подошла идеально. КПД усилителя в районе 8%, вызвано это тем, что работает он в классе А (для малых нелинейных искажений, в соответствие с ТЗ) и из-за большой ёмкости эмиттерной ветви конденсаторов С2,С3 и С4.
Техническое задание выполнено по алгоритму, изложенному в курсе лекций по ЭЦ и МСТ.
По всем параметрам усилитель имеет хороший запас.
7.Список используемой литературы: