Расчет усилителя мощности

где I_кср – средний ток транзисторов при максимальной амплитуде.

  (мА)

Соответственно определяется значение мощности (Вт)

 

Далее рассчитывается мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора выходной цепи

=

если  = (Вт)

При этом следует иметь в виду, что 

Выбирается  пара комплементарных транзисторов Т₃, Т₄ средней мощности, которые должны удовлетворять следующим условиям.

1.                     (104,2 мА< 0,3А)
2. U                                 (80 В> 60 В)
3.                                    (0.34475 Вт < 0.5 Вт)
4.                                       (9.2 кГц < 5000 кГц)

где I_{к доп}, U_{кэ доп}, – предельные параметры транзисторов.

На основании  этих условий выбирается пара комплементарных  транзисторов KT502Б и КТ503Б, имеющая параметры [1]

Таблица 3.1

Тип транзистора		(А)	(В)	(Вт)	(МГц)	от –  до
p-n-p	n-p-n
KT502Б	KT503Б	0.3	25-80	0.5	5	15-480

 

Рис.3.4 Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера(КТ502Б p-n-p типа)

Рис.3.5 Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера(КТ503Б n-p-n типа)

3.3. Выбор операционного усилителя

для схемы выходного каскада

Осуществляем  выбор операционного усилителя для схемы бустера.

Выбор производится из следующих соображений:

• По напряжению £ U_н,
• По току:

Рассчитаем  ток потребления ОУ , исходя из базового тока выходного транзистора схемы. Если считать, что для бустера напряжения

= (мА)

Тогда = = (мА)

Для бустера  тока (рис.3.1) справедливы соотношения:

.В свою очередь

Таким образом, значение оказывает влияние на выбор ОУ для бустера напряжения.

• По частоте усиливаемого сигнала

f > fв, где f =f_Т и fв верхняя граничная частота (из задания),

Исходя  из вышеперечисленных условий, производится выбор ОУ для бустера [1]. Принимается ОУ K140УД5Б, параметры которого представлены в таблице 3.2.

Таблица 3.2

Тип

UИП В

I потреб мА

Uвых .max. B

RН.min кОм

KУ собствен. коэф. усилне.

Uвх. сф max. B

Iвх. нА

∆Iвх. нА

Rвх. MОм

Rвых. Ом

fT МГц

Внутренняя коррекция

K140УД5Б

±12

12

-4.5

5

1000

±6

10000

5000

0.003

1000

14

-

Функциональная и принципиальная электрические схемы данного ОУ представлены на рисунке 3.6

Рис.3.6. Функциональная и принципиальная электрические  схемы операционного усилителя типа K140УД5Б

3.4. Полный расчет бустера

Производим полный расчет схемы выходного каскада

3.4.1. Расчет схемы бустера напряжения, управляемого по цепям питания  ОУ.

Сопротивление резистора R₇ выбирается из условия максимального

тока, потребляемого операционным усилителем

Определим токи через транзисторы VТ₃, VТ₄

 (мА)

где ток  обычно принимается равным 1 мА в классе усиления АВ.

Напряжения  на базах транзисторов VТ₁, VТ₂ задаются параметрическими стабилизаторами R₁ VD1 , R₂ VD2 (рис. 3.2) и определяются выбранными стабилитронами или светодиодами. Обычно значение напряжения на диоде равно 0.7 В.

Сопротивления резисторов R₅, R₆ выбираются из условия обеспечения режима АВ в транзисторах выходной цепи

(Ом).

Принимаются номинальные  значения сопротивлений (Ом)

Мощность, рассеиваемая каждым из транзисторов Т₁, Т₂, равна

(Вт).

На основании  проведённых расчётов выбирается пара комплементарных транзисторов VТ₁, VТ₂ . удовлетворяющих следующим требованиям. Числовые значения в скобках обязательны:

1.                      {0,1(А)>0.01122(А)}
2.                                        {50(В)>30(В)}
3.                                       {0.25(Вт)>0,202(Вт)}
4.                                          {100(МГц)>9.2(кГц)}

Принимаются транзисторы малой мощности [2], параметры которых приведены в таблице 3.3.

 

Таблица 3.3

Тип транзистора		(A)	(В)	(Вт)	(МГц)	от – до
p-n-p	n-p-n
KT3107А	KT3102А	0.1	50	0.25	100	100-1000

Рис.3.7 График зависимости коэффициента передачи от тока коллектора для транзистора КТ3102(n-p-n типа)

 

Рис.3.8 График зависимости коэффициента передачи от тока коллектора для транзисторов КТ3107(p-n-p типа)

 

Сопротивление резистора R₁ бустера напряжения зависит от входного тока ОУ и находится из выражения    следующим образом. Так как обычно коэффициент усиления выходного каскада УМ лежит в пределах 3 – 5 то принимаем К_u.УМ = 4. Тогда и с учетом входного тока ОУ I_{вх ОУ}  находится сопротивление резистора R_{1 .} Найденное значение сопротивления может иметь большое значение. С учетом условия, что для ОУ, выпускаемых отечественной промышленностью, это сопротивление лежит в пределах (5 10) (кОм), принимается номинальное значение сопротивления резистора R₁=10(кОм).

Тогда с  учетом местной обратной связи в  схеме выходного каскада УМ находится  сопротивление R₈ 

(кОм)

Принимается номинальное  значение сопротивления 43 кОм .

Рассчитывается  сопротивление резистора R₃

(кОм)

Принимается номинальное значение сопротивления  =8,2(кОм)

Диоды VD1 и VD2 выбираются в соответствии с условиями:

,

где - токи базы транзисторов VT₁, VT₂.

_=0,63 (мА).

 , -допустимые диапазоны изменения тока стабилитрона.

Выбираются стабилитроны  КС139А [5], имеющие

1. I_ст=10(мА),I_{ст min}=3(мА),I_{ст max}=70(мА)
2. U_ст=3,9(В)

Сопротивления резисторов R₂ и R₄ находятся как

(кОм),

и принимаются в соответствии с номинальными значениями сопротивлений (кОм)

Конденсатор С₁ служит для коррекции частотной характеристики бустера и выбирается из выражения

,

где один из параметров транзистора выходного каскада ОУ (обычно 120 – 150),

 принимается для транзисторов  VТ₁, VТ₂ при I_К =I_Н.для VТ_1,2.

 -постоянная времени в области верхних частот

 

 

После расчетов принимается конденсатор, имеющий емкость номинального значения .

3.5. Построение семейства выходных

вольтамперных характеристик

В подразделе производим построение семейства выходных ВАХ выходных транзисторов оконечного каскада. Строятся они при использовании справочной зависимости коэффициента передачи тока одного из транзисторов выходной цепи [3], принятых в подразделе 3.2, от тока коллектора или тока эмиттера. График зависимости = f (I_к) или = f (I_э) в общем случае имеет вид (рис.3.4)

Для построения семейства  выходных ВАХ транзистора находим значения коэффициентов или h_21э для каждого из значений принятых токов. Обычно принимаются 6 – 8 значений токов. Исходя из найденных величин h_{21э i} при i-ом значении тока определяются значения токов базы . Все значения токов коллектора (эмиттера) и найденные коэффициенты h_21э и токи I_бi заносятся в таблицу 3.4.

 

Таблица 3.4.

Iэ (мА)	h21э	Iбi (мкА)
1	88	11.36
10	133	75.18
20	140	142.85
40	130	307.7
60	118	508.5
100	104	961.54
104.2	102	1021.56

Под углом  наклона к оси абсцисс через  начало координат проводится линия критических режимов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис.3.9 Аппроксимация к построению выходных ВАХ транзистора

Рассчитаем наклон ВАХ (таблица 3.4).

=40(В).Принимаем r_кб=700(кОм).Следует определить приращение коллекторного тока с учетом выражения . С другой стороны . Полученные значения ∆I_к  заносятся в таблицу 3.5.

_{Таблица 3.5}

Iбi(мкА)	Iк(мА)	h21э	∆Iк(мА)
11.36	1	88	5.09
100	14	135	7.71
150	27	137	7.89
300	39	131	7.54
500	59	119	6.86
950	97	104	6
1020	104.2	102	5.88
1050	105	100	5.77

Откладывая  значение напряжения источника питания  на оси абсцисс, необходимо повести нагрузочную линию, угол наклона которой зависит от величины сопротивления нагрузки. Начальный ток коллектора следует принять 1 мА. Для этого тока находится значение

Семейство выходных ВАХ транзистора показано на рис.3.7.

 

 

 

Рис.3.10. Семейство выходных ВАХ транзистора.

 

Построенное семейство  выходных ВАХ транзистора в оконечном  каскаде понадобится для оценки усилительных свойств выходной цепи схемы и для расчета нелинейных искажений.

3.6. Оценка усилительных свойств  выходного каскада

Оцениваем усилительные свойства выходного каскада различными методами.

3.6.1. Графический метод

С помощью входной и выходной характеристик графически определяем коэффициент усиления.

 

 

где , определяются из графиков на рис.3.10, 3.11

На рис. 3.11 показана входная характеристика мощных транзисторов выходной цепи бустера.

 

Рис.3.11. Входная характеристика транзистора

 

 Из рис.3.10 находятся значения токов базы и , которые на рис. 3.11 определяют для обеспечения выходного напряжения .

3.6.2. Аналитический метод

Если транзисторы работают в  схеме включения с общим эмиттером, то коэффициент передачи по напряжению может быть найден согласно выражению

где -   входное сопротивление транзистора, находится из входной характеристики (рис.3.11) при входном токе . Величина определяется графически. В точке тока на касательной к входной характеристике строится треугольник, из которого определяется входное сопротивление по переменному току

 соответствует току нагрузки (рис.3.4).

3.6.3. С учетом местной обратной  связи

Исходя из найденных номинальных  значений сопротивлений резисторов R₈  и R₁ , рассчитывается коэффициент передачи по напряжению бустера

 

Естественно, все рассчитанные значения коэффициентов  передачи по напряжению должны быть неодинаковыми, но 1-ое и 2-ое значения должны быть близкими по величине.

3.7. Оценка нелинейных искажений

Наибольшие искажения в схеме  УМ обусловлены наличием в тракте усиления нелинейных элементов (элементов  с нелинейными характеристиками – транзисторов и др.), а также не симметрией двухтактного выходного каскада. Наибольшие нелинейные искажения вносятся бустером, где амплитуда сигнала максимальна. Коэффициент нелинейных искажений К_НИ = К_гарм в значительной степени зависит от режима работы (класса усиления) схемы бустера, разброса параметров пар комплементарных транзисторов.