Автор работы: Пользователь скрыл имя, 21 Декабря 2010 в 21:17, курсовая работа
В данном курсовом проекте производится расчет связанных микрополосковых линии. На основе полученных результатов, проводится анализ с целью подбора наиболее подходящей конструкции линии, удовлетворяющей заданным расчетным требованиям по параметру оптимизации.
Введение
1 Анализ состояния вопроса…………………………………………. 5
1.1 Микрополосковая линия. Общие замечания………………… 6
1.2 Связанные линии передач…………………………………….. 6
2 Методика проектирования………………………………………….. 8
2.1 Метод расчета многопроводной связной МПЛ……................ 8
2.2 Результаты расчета характеристик многопроводной связанной МПЛ 8
3 Расчет СМПЛ.. ………………………………………………………. 18
4 Оптимизация…………………………………………………………. 26
5 Область возможного применения………………………………….. 29
Заключение…………………………………………………………… 30
Список литературы………………………………………………………… 31
Приложение А……………………………………………………………… 32
Приложение В……………………………………………………………… 33
Министерство
образования Российской Федерации
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
к курсовому
проекту по дисциплине:
«Направляющие среды электросвязи»
Тема:
«Расчет связанной микрополосковой линии».
Автор проекта
Обозначение проекта:
Специальность 210402 – «Средства связи с подвижными объектами»
Руководитель проекта .
Проект защищен
с оценкой
Омск 2010
АННОТАЦИЯ
В
данном курсовом проекте производится
расчет связанных микрополосковых линии.
На основе полученных результатов, проводится
анализ с целью подбора наиболее подходящей
конструкции линии, удовлетворяющей
заданным расчетным требованиям по
параметру оптимизации.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение | |||
1 | Анализ
состояния вопроса………………………………… |
5 | |
1.1 | Микрополосковая линия. Общие замечания………………… | 6 | |
1.2 | Связанные линии передач…………………………………….. | 6 | |
2 | Методика
проектирования………………………………………… |
8 | |
2.1 | Метод расчета многопроводной связной МПЛ……................ | 8 | |
2.2 | Результаты
расчета характеристик |
8 | |
3 | Расчет СМПЛ.. ………………………………………………………. | 18 | |
4 | Оптимизация………………………………………………… |
26 | |
5 | Область возможного применения………………………………….. | 29 | |
Заключение…………………………………………………… |
30 | ||
Список
литературы…………………………………………………… |
31 | ||
Приложение А……………………………………………………………… | 32 | ||
Приложение В……………………………………………………………… | 33 |
Введение
Широкое внедрение в промышленность микроэлектронных устройств СВЧ обусловлено развитием теории и технологии изготовления планарных интегральных схем. Разработка линий передачи различных типов в интегральном исполнении позволила создать миниатюрные пассивные базовые элементы для устройств СВЧ с хорошей воспроизводимостью параметров при групповых методах изготовления. Достижения в области микроэлектроники СВЧ были бы невозможны без успешного развития полупроводниковой электроники, что позволило разработать принципиально новые приборы диапазона СВЧ — переключательные и лавинно-пролетные диоды, диоды Ганна, полевые транзисторы СВЧ с затвором Шотки и др.
На основе микрополосковых линий передач, сосредоточенных R-, L- и С-элементов и набора различных полупроводниковых приборов СВЧ разработаны практически все функциональные узлы и устройства, имеющие аналоги в традиционной «дискретной» радиоэлектронике. Ведутся интенсивные работы по созданию устройств на интегральных схемах СВЧ для бортовой радиотехнической аппаратуры — приемно-передающих модулей РЛС, аппаратуры управления и связи, радиотехнических систем с активными фазированными антенными решетками (АФАР) и др. Уменьшение числа разъемных соединений между отдельными функциональными узлами при конструировании микроэлектронных блоков СВЧ позволяет значительно снизить массу и габариты аппаратуры, повысить ее надежность.
Перспективы развития малогабаритной моноблочной радиоэлектронной аппаратуры во многом связаны с развитием АФАР. Действительно, если считать, что при увеличении объема производства снижается стоимость изделий, то именно АФАР являются идеальной сферой применения микроэлектронных устройств СВЧ. При этом речь идет о проектировании не только АФАР, в которых используются приемно-передающие модули. Успехи в разработке диодных фазовращателей в интегральном исполнении обеспечивают их широкое применение и в пассивных антенных решетках.
Особенностью
проектирования микроэлектронных устройств
СВЧ является сочетание упрощенных
методов расчета, применяемых на этапе
предварительной проработки технического
предложения, с методами автоматизированного
проектирования. Эти методы позволяют
провести строгий анализ работы устройств
и оптимизировать их характеристики. Важнейшую
роль при этом играют системы автоматизированного
проектирования (САПР), с помощью которых
автоматизируется весь процесс проектирования,
вплоть до выдачи технической документации
[3].
1 Анализ состояния вопроса
В
настоящее время в
Рисунок 1.1 - Экранированная несимметричная МПЛ
МПЛ используются во всем диапазоне СВЧ. По сравнению с полыми волноводами МПЛ обладают рядом недостатков — имеют более высокие погонные потери и сравнительно низкую передаваемую мощность (средняя мощность — десятки ватт, импульсная — единицы киловатт). Кроме того, открытые МПЛ излучают энергию в пространство, из-за чего могут возникать нежелательные электромагнитные связи.
Но МПЛ обладают и важными достоинствами. Они имеют малые габариты и массу, дешевы в изготовлении, технологичны и удобны для массового производства методами интегральной технологии, что позволяет реализовать на пластине из металлизированного с одной стороны диэлектрика целые узлы и функциональные модули в микрополосковом исполнении.
До
последнего времени анализ и расчет
параметров МПЛ проводились в квазистатическом
приближении, т. е. в предположении, что
в МПЛ распространяется лишь Т-волна. Такое
приближение позволяет получить удовлетворительные
результаты только в наиболее длинноволновой
части диапазона СВЧ, когда длина волны
значительно превышает поперечные размеры
линии. С повышением частоты, по мере продвижения
в область сантиметровых волн и освоения
миллиметровых волн, квазистатический
метод дает все большую погрешность. Это
связано с тем, что не учитываются дисперсионность
линии (зависимость параметров от частоты)
и наличие в ней волн высших типов. Поэтому
для строгого анализа и расчета параметров
МПЛ, удовлетворяющих потребностям практики,
необходимо использовать электродинамический
подход и математические
модели, адекватно отражающие физические
процессы в реальной МПЛ[3].
1.2 Связанные линии передач
Связанными называют две (или несколько) передающие линии, между которыми существует непрерывно распределенная по длине электромагнитная связь[3].
Связанные
полосковые линии имеют общие
заземленные пластины (экраны). Внутренние
проводники связанных линий расположены
параллельно друг другу. Различают одинаковые
и неодинаковые
связанные линии в зависимости
от того, имеют ли линии
одинаковые или разные поперечные размеры
внутренних проводников (одинаковые
или разные волновые сопротивления).
а)
в)
Рисунок 1.3 - Виды связанных полосковых линий
Связанные линии могут быть реализованы на симметричных полосковых линиях (СПЛ) или несимметричных полосковых (микрополосковых) линиях (МПЛ). Наиболее распространенные виды связанных полосковых линий изображены на рис. 1.3 а - в.
Основные
типы волн в связанных симметричных
линиях – Т-волны. Для связанных микрополосковых
линий, в которых волны распространяются
в неоднородной диэлектрической среде,
а электрическое поле сконцентрировано
в основном в диэлектрике (при больших
диэлектрических проницаемостях основания),
основные типы волн близки к волнам типа
Т и называются квази Т-волнами. Все другие,
высшие, типы волн нежелательны. Их присутствие
приводит к ограничению рабочего диапазона
со стороны высоких частот.
2
МЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ
2.1 Метод расчета многопроводной связной МПЛ
Поперечное сечение анализируемой структуры представлено на рисунке 2.1.1. На магнитодиэлектрической подложке 1 с параметрами ε1, μ1, толщиной y1=h расположено N параллельных полосковых проводников 2 нулевой толщины, шириной Wv, где v=1,2,..,N - номер проводника, и произвольными расстояниями между ними. Среда над подложкой имеет параметры ε2, μ2. Вся структура заключена в металлический экран 3 размерами xэ, yэ. Потерями в диэлектриках и металле пренебрегаем. Решение этой задачи сводится к интегрированию в рассматриваемых областях уравнения Гельмгольца на ЭВМ БЭСМ-6[3].
Рисунок 2.1.1 - Многопроводная связная экранированная МПЛ (поперечное сечение)
2.2 Результаты расчета характеристик многопроводной связанной МПЛ
Проанализируем результаты расчетов. Сначала рассмотрим наиболее часто используемую двухпроводную линию. На рис. 2.2.1 в координатах (р2, y1 /λ), где p = β / k — коэффициент замедления собственной волны; λ- длина волны в вакууме, приведены дисперсионные характеристики волн первых шести типов двухполосковой линии с проводниками разной ширины (W1/W2=1/4). Цифрами 1 и 2 помечены волны основных типов двухполосковой линии.
Рисунок
2.2.1 - Дисперсионные характеристики волн
основных (1,2) и высших типов (3…6)
двухпроводной линии: ε1=9,8; ε2=1; μ1= μ2=1;
x1/y1=4; xэ/yэ =10; W1/y1=1;
W2/y1=4; xэ/y1 =20;
yэ/y1 =10
На рис. 2.2.2 построено распределение плотности продольного тока для основных типов волн.
Рисунок
2.2.2 - Распределение плотности продольного
тока для четного (1) и нечетного (2) типов
волн двухпроводной линии с параметрами,
соответствующими рис.2.2.1.
Волна 1, называемая четной, характеризуется одинаковым направлением продольного тока и синфазным распределением электромагнитного поля на проводниках относительно экрана. Волна 2, называемая нечетной, имеет противоположное направление токов и противофазное распределение поля на проводниках. Эти волны не имеют отсечки и существуют при сколь угодно низких частотах. Волны высших типов обладают отсечкой. Их условно разделяют на две группы: волны «экранного» типа (кривые 4—6 на рис. 2.2.1), дисперсия которых определяется в основном размерами экрана, и волны «подполосочного» типа (кривая 3), энергия которых локализована вблизи проводников. Влияние экрана на дисперсию «подполосочной» волны незначительно. Интересно отметить, что при указанном соотношении размеров полосок и слабой связи между ними волна 1 имеет постоянную распространения, близкую к таковой для одиночной линии с широким проводником, а волна 2 — для одиночной линии с узким проводником.
На рис. 2.2.3, а приведены дисперсионные характеристики волн двух основных типов двухпроводной линии с одинаковой шириной достаточно сближенных проводников при значительном удалении экрана; когда его влиянием можно пренебречь. Индекс «е» (англ. even) характеризует четную волну, а индекс «о» (odd) — нечетную. Кривые рассчитаны для двух значений W/y1 (0,8 и 0,6). Легко заметить, что в области низких частот волны четного типа обладают большей дисперсией, чем нечетного.