Гибридная микросхема

 

 

плотно прилегать к  трафарету, обеспечивая постоянство давления, оказываемого на пасту, что достигается благодаря держателю ракеля.

Кроме трафаретной печати можно наносить резистивные пасты  под давлением с помощью пневматического  дозатора.

После нанесения производится сушка и вжигание пасты. При сушке (120-200⁰ С) происходит удаление летучих органических растворителей. Лучше использовать инфракрасную сушку. При других методах сушки на поверхности слоя пасты может образоваться корка, препятствующая выходу летучих веществ, вследствие чего после вжигания пленка может быть пористой и содержать раковины.

Сборка ГИС заключается  в установке на подложку навесных компонентов и их электрическом  присоединении к пленочным проводникам. В качестве навесных компонентов используют полупроводниковые бескорпусные ИМС и БИС, а также различные электрорадиоэлементы.

Пленочные конденсаторы занимают большую площадь на подложке, требуют нескольких циклов нанесения  и вжигания. Трудоемкость изготовления толстопленочных конденсаторов ограничивают их применение, поэтому в толстопленочных ГИС чаще применяют навесные конденсаторы. В толстопленочных ГИС обычно используют пленочные резисторы.

Дискретные полупроводниковые  компоненты толстопленочных ГИС  имеют балочные, гибкие проволочные и жесткие выводы. Монтаж навесных компонентов на подложку производят методом пайки мягким припоем или с помощью токопроводящих клеев.

Изготовленную толстопленочную  ГИС устанавливают в корпус и  герметизируют. Надежность ГИС, стабильность ее параметров обеспечиваются на всех этапах изготовления.

 

 

 

 

 

 

3 Применение ГИС микросхем

в микроэлектронной аппаратуре

3.1 Особенности применения  ГИС в МЭА

В аналоговой аппаратуре ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС имеют более широкие схемотехнические возможности благодаря использованию различных навесных компонентов (полупроводниковых ИМС, транзисторов, конденсаторов, индуктивных катушек и т.д.). ГИС позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем – усилителей, преобразователей, коммутаторов, вторичных источников питания, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного и даже мелкосерийного производства.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

 

Гибридная технология микроэлектронных устройств развивается и совершенствуется в направлении создания конструкций, обеспечивающих высокую плотность и точность монтажа полупроводниковых БИС и СБИС и хороший теплоотвод от этих компонентов. Определенные преимущества дает сочетание в одном изделие тонкопленочной и толстопленочной технологии, получившей название дигибридной.

Таким образом, ГИС –  широко распространенный, постоянно  совершенствующийся, развивающийся конструктивно-технологический вариант изготовления изделий микроэлектроники. Создание ГИС и БГИС – одна из ступеней микроминиатюризации микроэлектронных устройств, комплексов и систем, перспективное направление развития научно-технического прогресса в области микроэлектроники.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

 

1. "Микроэлектроника: Учеб. пособие для втузов. В 9 кн. /под ред. Л.А. Коледова. Кн. 4. Гибридные интегральные микросхемы/ Л.А. Коледов, Э.М. Ильина. – М.: Высш. шк., 1987.

2. Малышев И.А. "Технология  производства интегральных микросхем". – М.: Радио и связь, 1991.

3. Курносов А.И. "Технология  производства полупроводниковых  приборов и интегральных микросхем". – М., 1979.