Полупроводникаовые пластины. Методы их получения

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 05 Марта 2013 в 11:33, реферат

Краткое описание

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических полупроводниковых пластинах с использованием фотолитографии. Полупроводниковые пластины, предназначенные для формирования изделий микроэлектроники, характеризуются сoвepшенной атомной структурой и высокой геометрической точностью обеспечения этих качеств разработана оригинальная технология механической, химической и химико-механической обработки моно-кристаллических

Прикрепленные файлы: 1 файл

Полупроводниковые пластины. Методы их получения.doc

— 159.00 Кб (Скачать документ)

Плазменное травление, относящееся  к так называемым “сухим” cпособам  очистки, проводят чаще всего в плазме кислорода, которая переводит поверхностные загрязнения в летучие компоненты.

Важной является операция контроля чистоты поверхности пластин, поскольку только она может показать, насколько эффективны процессы очистки  и пригодны очищенные пластины к передаче для изготовления приборов.

Основными методами контроля чистоты поверхности являются: методы, основанные на изменении ее смачиваемости, микроскопические, фотометрические  и спектральные.

При окунании пластины в деионизованнуюводу или распылении воды на влажную поверхность пластины на загрязненных участках не образуется равномерного слоя воды. Методы, основанные на изменении смачиваемости, просты, наглядны, но недостаточно чувствительны.

Микроскопические методы основаны на наблюдении поверхности в светлом или темном поле оптического микроскопа, а также с помощью электронного микроскопа. При наблюдении в темном поле используется косое освещение, исключающее попадание в объектив зеркально отраженных от поверхности лучей. 
В этом случае выявляются остатки органических растворителей, которые образуют характерные узоры. узоры. Загрязнения и дефекты на поверхности полированных пластин астин наблюдаются в виде светящихся точек. Их подсчет на единице площади пластины ведут при увеличении в 50-400 раз.

Фотометрические, спектральные, а также другие методы контроля- чистоты поверхности полупроводниковых  пластин в пройышленности широкого распространения не получили. Для  обеспечения требуемой чистоты  поверхности полупроводниковых  пластин (кроме процессов очистки) в масштабах предприятия осуществляется целый ряд организационных и санитарно- гигиенических мероприятий. Обязательным условием получения качественных пластин является проведение каждой операции на изолированнных друг от друга производственных участках. Это исключает попадание более крупных абразивов с операций грубых предварительных обработок в помещения, где осуществляется доводка. Целесллбразно также внутри участка закреплять конкретное оборудование за операциями, отличающимися составом используемых суспензий.

Участки по изготовлению пластин  располагаются в помещениях, отвечающих требованиям первой категории вакуумной  гигиены, согласно которым в 1 л воздуха  не допускается присутствие более 70 частиц крупнее 1 мкм. В этих помещениях создают защитные горизонтальные ламинарные потоки очищенного воздуха, которые препятствуют попаданию инородных частиц в рабочие зоны оборудования В качестве дополнительной меры, препятствующей попаданию частиц, из воздуха на полировальники станков финишного и суперфинишного полирования, устанавливают специальные защитные колпаки из прозрачного пластика. Рабочий персонал этих участков обеспечивается спецодеждой и спецобувью, создающей минимальное количество загрязнений. Кроме того, ограничивается использование работниками косметических средств.

 

Работы, похожие  на Реферат: Полупроводниковые пластины. Методы их получения

Печатные платы

Введение Термин "технология" происходит от двух греческих слов: ((((( - искусство, мастерство, умение и ((((( - наука. В производственных процессах он ...  
Однако современная технология промышленного производства предусматривает двусторонню шлифовку пластин кремния свободным абразивом (рис 7). По сравнению с другими методами такое ...  
В основу изготовления полупроводниковых биполярных ИМС с комбинированной изоляцией положены процессы, обеспечивающие формирование элементов с изоляцией p-n переходами их ... ...


Информация о работе Полупроводникаовые пластины. Методы их получения