Автор работы: Пользователь скрыл имя, 28 Января 2013 в 09:58, курсовая работа
Применение полупроводниковых приборов (включая транзисторы) позволило разрешить множество задач. Транзисторы благодаря своим малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надежности и долговечности широко применяются в различной аппаратуре.
ВВЕДЕНИЕ 3
1 ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ 4
1.1 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР КТ301Ж 4
1.2 ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 6
2 РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ 9
2.1 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР КТ301Ж. 9
2.1.1 ОСОБЕННОСТИ ТРАНЗИСТОРА КТ301Ж 9
2. 1. 2 ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ ДЛЯ РАСЧЕТА 10
2. 1. 3 ПОСТРОЕНИЕ НАГРУЗОЧНОЙ ПРЯМОЙ. ВЫБОР ТОЧКИ ПОКОЯ 10
2.1.4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ МАЛОСИГНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ 11
2.1.5 РАСЧЕТ ВЕЛИЧИН ЭЛЕМЕНТОВ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ 12
2.1.6 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ГРАНИЧНЫХ И ПРЕДЕЛЬНЫХ ЧАСТОТ ТРАНЗИСТОРА 13
2.1.7 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЧАСТОТНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ Y-ПАРАМЕТРОВ 13
2.2 ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР КП103Ж 15
2.2.1 ОСОБЕННОСТИ ТРАНЗИСТОРА КТ301Ж 15
2.2.2 ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ ДЛЯ РАСЧЕТА 17
2.2.3 ПОСТРОЕНИЕ НАГРУЗОЧНОЙ ПРЯМОЙ. ВЫБОР ТОЧКИ ПОКОЯ 17
2.2.4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ МАЛОСИГНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ 18
2.2.5 РАСЧЕТ ВЕЛИЧИН ЭЛЕМЕНТОВ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ 19
2.2.6 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ГРАНИЧНОЙ И ПРЕДЕЛЬНОЙ ЧАСТОТ 20
2.2.7 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЧАСТОТНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ Y-ПАРАМЕТРОВ 20
3 ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………..…….……………………………………………………………..…24
4 Список литературы 24
Таблица 6
ω, Мрад/с |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
Y21(ω), мСм |
6 |
8,5 |
10,4 |
12 |
13,4 |
14,7 |
15,9 |
17 |
18 |
19 |
Построим график зависимости Y22(ω) (рисунок 18). |
|
Рисунок 18 График зависимости Y22(ω)
3. Заключение
В процессе выполнения данной работы произведен анализ работы транзисторов с нагрузкой в выходной цепи. Получены навыки в области оценки и расчета статических характеристик и параметров биполярных и полевых транзисторов, расчета параметров эквивалентной схемы и малосигнальных параметров,а также оценки зависимости Y-параметров транзисторов от частоты.
Малосигнальные параметры парам
Iб 0=0,5 мА, Uбэ =0,75 В, Iк0=1,06 мА, Uкэ 0=1,95 В, Iэ0=1,56мА
Величины элементов эквивалентной схемы биполярного транзистора имеют следующие значения:
h21э= 2,7 h22э= 0,048 мСм
h12э= 0,385·10-3 h11э= 666,7 Ом
Малосигнальные параметры парам
Uзи0=1 В, Iс0=2,76 мА, Uси0=-12 В.
Величины элементов эквивалентной схемы полевого транзистора имеют следующие значения:
Крутизна характеристики
S = 1,8 мА/В.
Внутреннее сопротивление
Ri = 1/g22И= 100 кОм, где g22И=10 мкСм – активная составляющая выходной проводимости.
Сопротивление канала в рабочей точке
rК = UСИ0/IС0 = 4,35 кОм.
Среднее сопротивление канала полевого транзистора
RКАН = rК/4 = 1,09 кОм.
4. Список литературы
1. Бочаров Л.Н., - Полевые транзисторы. М. «Радио и связь», 1984.
2. Жеребцов И.П., - Основы электроники, Л. «Энергоатомиздат», 1989.
3. Горюнов Н.Н., - Полупроводниковые приборы транзисторы: Справочник , Энергоатомиздат, 1985.
4. Григорьев О.П. – Транзисторы: Справочник. М. «Радио и связь», 1989.
5. Нефедов А.В., Гордеева В.И. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник. М. «Радио и связь», 1990.
6. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / под ред. Б. Л. Перельмана. М. «Радио и связь», 1981.