Автор работы: Пользователь скрыл имя, 21 Ноября 2013 в 05:07, реферат
Постоянные ЗУ (ПЗУ), содержание которых не может быть изменено конечным пользователем (например, CD-ROM). ПЗУ в рабочем режиме допускает только считывание информации.
Записываемые ЗУ, в которые конечный пользователь может записать информацию только один раз (например, CD-R).
Многократно перезаписываемые ЗУ (например, CD-RW).
Оперативные ЗУ (ОЗУ) обеспечивает режим записи, хранения и считывания информации в процессе её обработки. Быстрые, но дорогие ОЗУ (SRAM) строят н
Классификация запоминающих устройств 3
ЗУ по устойчивости записи и возможности перезаписи 3
ЗУ по типу доступа 3
ЗУ по геометрическому исполнению 3
ЗУ по физическому принципу 4
Цифровые запоминающие устройства 5
Наиболее распространённые в настоящее время ЗУ 5
Переносные накопители данных 5
Физические основы функционирования 6
Приложения 7
Автономная некоммерческая организация
высшего профессионального образования
ПЕРМСКИЙ ИНСТИТУТ ЭКОНОМИКИ И ФИНАНСОВ
Тема: Запоминающие устройства
Выполнил(а) студент(ка)
заочного отделения
группы ЭУ-29-С(И)
Загайнова Н.Ю.
Преподаватель
Тимохова Н.А.
Пермь, 2009
Оглавление
ЗУ по геометрическому исполнению
Вид |
Среда, хранящая информацию |
Принцип чтения/записи |
Примеры |
Полупроводниковая память (англ. semiconductor storage) |
сформированные в |
включение в электрическую цепь |
SRAM, DRAM, EEPROM, Flash-память |
Магнитная память (англ. magnetic storage) |
Намагниченность участков ферромагнитного материала (доменов) |
Магнитная запись |
Магнитная лента, Магнитный диск, Магнитная карта |
Оптическая память (англ. optical storage, laser storage) |
последовательность участков (питов), отражающих или рассеивающих свет |
чтение: отражение либо рассеяние лазерного луча от питов; запись: точечный нагрев, изменяющий свойства отражающего слоя |
CD, DVD, Blu-ray. |
Магнитооптическая память (англ. magnetooptics storage) |
показатель преломления участков информационного слоя |
чтение: преломление и отражение луча лазера запись: точечный нагрев и электромагнитный импульс |
CD-MO, Fujitsu DynaMO |
Магниторезистивная память с произвольным доступом (англ. Spin Torque Transfer Random Access Memory, STT-RAM) |
магнитные домены |
В STT-RAM электрическое поле воздействует на микромагниты, заставляя их менять направление магнитного поля (спин). В свою очередь направление магнитного поля (справа — налево или сверху — вниз) вызывает изменение в сопротивлении (логические 0 и 1) |
MRAM |
Память с изменением фазового состояния (англ. phase change memory, PCM) |
молекулы халькогенида (chalcogenide) |
использует изменение фазового состояния халькогенида — вещества, способного под воздействием нагрева и электрических полей переходить из непроводящего аморфного состояния (1) в проводящее кристаллическое (0). В ней применены диоды вертикального типа и трехмерная кристаллическая структура. Не требует предварительного удаления старых данных перед записью новых, не требует электропитания для сохранения своего состояния. [1]; |
PRAM |
Ёмкостная память (англ. capacitor storage) |
конденсаторы |
подача электрического напряжения на обкладки |
DRAM |
Цифровые запоминающие устройства — устройства, предназначенные для записи, хранения и считывания информации, представленной в цифровом коде.
К основным параметрам ЗУ относятся информационная ёмкость (бит), потребляемая мощность, время хранения информации, быстродействие.
Самое большое распространение запоминающие устройства приобрели в компьютерах (компьютерная память). Кроме того, они применяются в устройствах автоматики и телемеханики, в приборах для проведения экспериментов, в бытовых устройствах (телефонах, фотоаппаратах, холодильниках, стиральных машинах и т. д.), в пластиковых карточках, замках.
Некоторые типы запоминающих устройств оформлены как компактные, носимые человеком устройства, приспособленные для переноса информации. В частности:
В основе работы запоминающего устройства может лежать любой физический эффект, обеспечивающий приведение системы к двум или более устойчивым состояниям. В современной компьютерной технике часто используются физические свойства полупроводников, когда прохождение тока через полупроводник или его отсутствие трактуются как наличие логических сигналов 0 или 1. Устойчивые состояния, определяемые направлением намагниченности, позволяют использовать для хранения данных разнообразные магнитные материалы. Наличие или отсутствие заряда в конденсаторе также может быть положено в основу системы хранения. Отражение или рассеяние света от поверхности CD, DVD или Blu-ray диска также позволяет хранить информацию.