Транзистор

р – және  n- типті жартылай өткізгіштердің түйісу аймағын  р-n  ауысуы деп атайды. р-n  ауысудың ерекше қасиеті бар. Түйіскен кезде электрондар жарым-жартылай  n- типті жартылай өткізгіштен  р- типті жартылай өткізгішке өтеді, ал кемтіктер – кері бағытта өтеді. Мұның нәтижесінде  n- типті жартылай өткізгіш оң, ал  р- типті теріс  зарядталады. Электрондар мен кемтіктердің мұнан әрі орын ауыстыруларын  жалғастыра беруіне ауысу аймағында  пайда болған электр өрісі қарсылық жасағанда диффузия тоқталады.

Егер  р-n  ауысуға,  р- типті  жартылай өткізгіштің  потенциалы оң, ал  n- типті жартылай өткізгіштің потенциалы теріс болатындай етіп тізбекке жалғастырса, онда  р-n  ауысу арқылы ток негізгі тасымалдаушылар  есебінен жүреді :  n- аймақтан  р- аймаққа – электрондармен, ал  р- аймақтан  n- аймаққа – кемтіктермен. Осының салдарынан, барлық үлгіде өткізгіштік  жоғары, ал кедергі аз болады. Бұл  қарастырылған ауысу тура деп  аталынады.

Егер потенциалды  кері бағытта түсірсе, онда тізбектегі ток едәуір аз болады. Бұл кезде  электрондар  р- аймақтан  n- аймаққа  қарай, ал кемтіктер -  n- аймақтан  р- аймаққа қарай жүреді. Алайда  р- типті жартылай өткізгіште еркін  электрондар аз, ал  n- типті жартылай өткізгіште кемтіктер саны аз. Бұл  кезде ауысу арқылы жүретін ток, сандары аз, негізгі емес тасымалдаушылар  арқылы іске асады. Осының салдарынан үлгінің өткізгіштігі мәнсіз, ал кедергісі  үлкен болады. Бұл ауысуды кері деп атайды.

р-n  ауысудың қасиетін айнымалы токты түзету үшін пайдаланады. Оған арнап жасалған құралдарды жартылай өткізгіштік диод деп аталынады.

Екі  р-n  ауысудан жасалған құралды транзистор деп атайды. Транзисторларды негізінен  әлсіз кернеулерді күшейту үшін пайдаланады, оларды аз габаритті қабылдағыштарда, радиоқабылдаушы қондырғыларда  электронды-есептеуші машиналарда  пайдаланады.

Жартылай  өткізгіштердің тағы бір қасиетіне, онда жарық сәулесінің әсерінен электр қозғаушы күштердің пайда болуы  жатады. Оның бұл қасиетін жарық  фотоэлементтерін жасау үшін пайдаланады.

 

 

 

 

                    ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ

1. Рывкин  С.М. Фотоэлектрические явления  в полупроводниках. –  М.: 

      Физматгиз, 1963.

2. Роуз А.  Основы теории фотопроводимости. –  М.: Мир, 1966.

3. Элементарный  учебник физики. Т. 2. Электричество  и магнетизм/Под ред. 

      Г.С. Ландсберга. –  М.: Наука, 1967.

4. Сахаров  Д.И., Блудов М.И. Физика для  техникумов. –  М.: Наука, 1967.

5. Маделунг  О. Физика полупроводниковых соединений  элементов ІІІ и V

    групп.  –  М.: Мир, 1967.

6. Жданов  Л.С., Маранджян В.А. Курс физики  для средних специальных  

      учебных заведений. Ч. 2. Электричество.  Оптика. Атомная физика. –  М.: 

      Наука, 1968.

7. Блудов  М.И. Физика жайлы әңгімелер. 2 бөлім. –  Алматы: Мектеп, 1969.

8. Цидильковский  И.М. Электроны и дырки в  полупроводниках. –  М.: 

    Наука, 1972.

9. Тамм И.Е.  Основы теории электричества.  –  М.: Наука, 1976.

10. Зеегер  К. Физика полупроводников. –   М.: Мир, 1977.

11. Ансельм  А.И. Введение в теорию полупроводников.  –  М.: Наука, 1978.

12. Пикус Г.Е.  Основы теории полупроводниковых  приборов. –  М.-Л.: Наука, 

    1978.

13. Смит Р.  Поупроводники. –  М.: Мир, 1982.

14. Зи С.  Физика полупроводниковых приборов. –  М.: Мир, 1984.

15. Буравихин  В.А., Егоров В.А. Биография электрона.  –  М.: Знание, 1985.

16. Мустафаев  Р.А., Кривцов В.Г. Физика в помощь  поступающим в вузы. –  

      М.: Высшая школа, 1989. 

17. Бонч-Бруевич  В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.  –  М.: 

    Наука, 1990.

18. Мякишев  Г.Я., Буховцев Б.Б., Сотский Н.Н.  Физика. Учебник для 10 класса 

      общеобразовательных учреждений. –   М.: Просвещение, 2001.

 

 

 

                   Жоспар:

 

Кіріспе: 

     а) Транзистор 

     б) Транзистор туралы мәліметтер 

 

Негізгі бөлім:

      а) Транзистордың сұлбалық сызбалары 

      б) Транзистордың жұмысы

 

 

 

Қортынды 

 

  Пайдаланылған әдебиеттер тізімі