Автор работы: Пользователь скрыл имя, 25 Апреля 2014 в 14:51, курсовая работа
Существуют различные определения приемника излучения, однако все они отражают главное свойство приемника - способность обнаруживать наличие излучения путем преобразования его в энергию других видов для последующей регистрации. В иностранной технической литературе это свойство приемника излучения находит выражение в названии - детектор, т. е. обнаружитель.
Таким образом, приемник излучения представляет собой устройство, служащее для восприятия энергии излучения и преобразования ее в энергию других видов с целью последующей регистрации результата этого преобразования, приводящей к обнаружению
1.Введение
2.Приемники излучения. Классификация
3.Полупроводниковые приемники излучения
4.Полупроводниковый фотодод
5.Фоторезисторы
5.1.Характеристики фоторезисторов
5.2.Параметры фоторезисторов.
6.Фотоэлектрические приемники излучения
7.Заключение
8.Литература
Световое сопротивление
Rс - сопротивление фоторезистора, измеренное
через определенный интервал
времени после начала воздействия излучения,
создающего на нем освещенность заданного
значения.
Кратность изменения
сопротивления KR - отношение темнового
сопротивления фоторезистора к сопротивлению
при определенном уровне освещенности
(световому сопротивлению).
Допустимая мощность рассеяния - мощность, при которой не наступает необратимых изменений параметров фоторезистора в процессе его эксплуатации.
Общий ток фоторезистора - ток, состоящий из темнового тока и фототока.
Фототок - ток, протекающий через фоторезистор при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.
Удельная чувствительность - отношение фототока к произведению величины падающего на фоторезистор светового потока на приложенное к нему напряжение, мкА / (лм ( В)
К0 = Iф / (ФU), (7)
где Iф - фототок, равный разности токов, протекающих по фоторезистору в темноте и при определенной (200 лк) освещенности, мкА; Ф - падающий световой поток, лм; U - напряжение, приложенное к фоторезистору, В.
Интегральная чувствительность
- произведение удельной чувствительности
на предельное рабочее напряжение Sинт
= К0Umax.
Постоянная времени
?ф - время, в течение которого фототок
изменяется на 63%, т. е. в e раз. Постоянная
времени характеризует инерционность
прибора и влияет на вид его частотной
характеристики.
При включении и выключении
света фототок возрастает до максимума
(рис. 8 приложения) и спадает до минимума
не мгновенно. Характер и длительность
кривых нарастания и спада фототока во
времени существенно зависят от механизма
рекомбинации неравновесных носителей
в данном материале, а также от величины
интенсивности света. При малом уровне
инжекции нарастание и спад фототока во
времени можно представить экспонентами
с постоянной времени , равной времени
жизни носителей в полупроводнике. В этом
случае при включении света фототок iф
будет нарастать и спадать во времени
по закону
Изготовление фоторезисторов
В качестве материалов для фоторезисторов широко используются сульфиды, селениды и теллуриды различных элементов, а также соединения типа AIIIBV. В инфракрасной области могут быть использованы фоторезисторы на основе PbS, PbSe, PbTe, InSb, в области видимого света и ближнего ультрафиолета - CdS.[1]
Применение фоторезисторов
В последние годы фоторезисторы широко применяются во многих отраслях науки и техники. Это объясняется их высокой чувствительностью, простотой конструкции, малыми габаритами и значительной допустимой мощностью рассеяния. Значительный интерес представляет использование фоторезисторов в оптоэлектронике.[1]
6.Фотоэлектрические приемники излучения.
Для увеличения точности фотометрии
применяются фотоэлементы, устанавливаемые
в фокусе телескопа. Кратко напомним физическую
сущность фотоэлектрического эффекта. В металлах
и полупроводниках, кроме электронов, связанных
с отдельными атомами, имеются свободные
электроны, которые могут перемещаться
в пределах всей кристаллической решетки.
Электрон может выйти из кристаллической
решетки, если он приобретет энергию, превышающую
определенную пороговую величину W0. Эта величина
называется работой выхода. Электрон может по-лучить энергию
различными способами, например, поглотив
световой квант. Кванты с энергией, большей
W0, могут выбивать электроны из поверхности
облучаемого материала. Это явление называется
внешним фотоэлектрическим эффектом или
фотоэлектронной эмиссией. Не каждый квант
с энергией, большей W0, выбивает электрон.
Процентная доля квантов, выбивающих электроны,
называется квантовым выходом. Обычно
квантовый выход меньше 50%. Явление внешней
фотоэлектронной эмиссии используется
в фотоэлементах с внешним фотоэффектом,
которые представляют собой простые двухэлектродные
вакуумные приборы (112). Один из электродов
(отрицательный) называется фотокатодом,
другой (положительный) — анодом. При освещении
фотокатода из него выбиваются электроны,
которые притягиваются анодом, и в цепи
фотоэлемента течет ток (фототок), измеряемый
достаточно чувствительным прибором.
Фототок прямо пропорционален световому
потоку, падающему на катод, и эта пропорциональность
соблюдается в очень широких пределах.
Чувствительность и спектральная характеристика
фотокатода практически не меняется со временем.
Эти обстоятельства позволяют выполнять
фотометрические измерения с помощью фотоэлементов
с очень высокой точностью (иногда до 0,1%),
недоступной для фотографии. Благодаря
высокой точности фотоэлектрическая техника
прочно вошла в практику современной астрофизики.
Как известно, энергия кванта e = hv. Поэтому
фотоэлектрический эффект может вызываться
только излучением с частотой, превышающей
(8.10) (закон Эйнштейна). Предельная частота
n 0 называется красной границей фотоэффекта.
Она зависит от материала фотокатода. Чистые
металлы имеют большую работу выхода и
не годятся для изготовления фотокатодов
для длин волн l > 3000 Å, используемых в наземных
астрономических наблюдениях и в технике.
Поэтому разработаны специальные фотокатоды,
имеющие сложную физико-химическую структуру,
которая обеспечивает малую работу выхода.
Наиболее распространенные типы современных
фотокатодов — этосурьмяно-цезиевый, мультище
7.Заключение.
Таким образом, приемник излучения представляет собой устройство, служащее для восприятия энергии излучения и преобразования ее в энергию других видов с целью последующей регистрации результата этого преобразования, приводящей к обнаружению. Процесс обнаружения излучения состоит из двух основных этапов: преобразования энергии оптического излучения в другой вид энергии и регистрации преобразованной энергии. Например, в термоэлементе поток излучения вызывает появление электродвижущей силы, которая регистрируется обычным образом (гальванометром); в эвапорографе энергия излучения поглощается и вызывает нагрев и испарение масляной пленки, изменение толщины которой регистрируется интерференционными методами и т. д. Таким образом, приемник излучения представляет собой устройство, служащее для восприятия энергии излучения и преобразования ее в энергию других видов с целью последующей регистрации результата этого преобразования, приводящей к обнаружению. Процесс обнаружения излучения состоит из двух основных этапов: преобразования энергии оптического излучения в другой вид энергии и регистрации преобразованной энергии. Например, в термоэлементе поток излучения вызывает появление электродвижущей силы, которая регистрируется обычным образом (гальванометром); в эвапорографе энергия излучения поглощается и вызывает нагрев и испарение масляной пленки, изменение толщины которой регистрируется интерференционными методами и т. д.[2]
8.Литература
1. Гершунский Б. С. Основы электроники и микроэлектроники. - К.: Высшая школа. 1989. -423с.
2. Практикум по
полупроводникам и
3. Федотов Я. А. Приемники излучения. - М.: Советское радио. 1970. - 591 с.
4.Роках.А.Г.Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.-Саратов: Издательство Саратовского университета,1984
5.Шалимова К.В. Физика полупроводников- М: Энергия,1976