Молекулярно-лучевая эпитаксия

В данной работе излагаются основные идеи и методы эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур. Под эпитаксиальными системами понимаются тонкие многослойные полупроводниковые структуры (так называемые гетероструктуры или наноструктуры), нанесенные с помощью специальной технологии на твердую монокристаллическую подложку. Прогресс современной электроники и компьютерной техники, полностью базирующихся на полупроводниковых материалах, идет в направлении уменьшения размеров электронных систем, увеличения быстродействия и сокращения энергопотребления.

ВВЕДЕНИЕ ......................................................................................................................... 2
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ – СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЯ. 2
ПРИНЦИПЫ И МЕТОДЫ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА .............................................................. 4
А. Молекулярная пучковая эпитаксия - МПЭ ............................................................... 5
Б. Газофазная эпитаксия из металло-органических соединений - ГФЭ .................... 6
В. Атомно-слоевая эпитаксия ...................................................................................... 7
УСТРОЙСТВО И РАБОТА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА
МОЛЕКУЛЯРНОЙ ПУЧКОВОЙ ЭПИТАКСИИ ......................................................... 8
А. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ РОСТОВОЙ МОДУЛЬ. ........................................................................ 9
Б. ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ ВАКУУМНЫЕ МОДУЛИ. ................................................................. 11
В. СИСТЕМА ОТКАЧКИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА. ................................................ 11
Г. КРИОСИСТЕМА. ............................................................................................................. 12
Д. ПРИБОРЫ КОНТРОЛЯ И АНАЛИЗА. .................................................................................. 12
Е. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ПРОЦЕССОМ (АСУТП). ........................... 12
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС МПЭ ................................................................... 12
А. ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ПОДГОТОВКА ПОДЛОЖЕК. ................................................................. 13
Б. ПОДГОТОВКА РОСТОВОГО МОДУЛЯ. .............................................................................. 13
В. ОСНОВНЫЕ СТАДИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА. .................................................. 14
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ................................................................................................................ 16
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ ..............................................................................................