Автор работы: Пользователь скрыл имя, 08 Декабря 2013 в 17:53, контрольная работа
РЕКОМБИНАЦИЯ носителей заряда в полупроводниках - исчезновение пары свободных противоположно заряженных носителей в результате перехода электрона из энергетич. состояния в зоне проводимости в незанятое энергетич. состояние в валентной зоне (см. Полупроводники ).При Р. выделяется избыточная энергия порядка ширины запрещённой зоны . Различают излучательную и безызлучатель-ную Р. Первая сопровождается излучениемсветового кванта с энергией (см.Рекомбинационное излучение).
1.12. Что такое рекомбинация основных носителей? 3
2.11 Как определяется коэффициент усиления по току в схеме с общей базой? 4
3.13. Область применения и работа точечного оптрона 4
4.3. Что такое процесс рекомбинации ионов в газе? 6
5.16. Система обозначений интегральных микросхем. 8
7.1. Электронный ключ - назначение и условное обозначение 9
9.10. Как определяется коэффициент усиления многокаскадных усилителей? 10
10.1. Показать способы классификации электронных генераторов 10
11.13. Принципиальная схема преобразователя напряжения 17
6.9. Каково должно быть сопротивление резистора дифференцирующей цепи при емкости конденсатора 80 пФ для импульса с передним фронтом 1 мксек.? 18
6.15. Определить величину емкости конденсатора колебательного контура, если индуктивность катушки равна 50 мкГн, а волновое сопротивление 300 Ом 19
8.13. Синтезировать одноразрядный компаратор 19