Исследование вольт – емкостных характеристик полупроводникового диода

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 29 Декабря 2013 в 08:39, лабораторная работа

Краткое описание

Цель работы: изучить явления, происходящие в p-n-переходе под действием внешнего напряжения. Исследовать закономерность изменения барьерной ёмкости p-n перехода под действием напряжения. На основе экспериментальных результатов оценить характер распределения примесей в p-n переходе и величину контактной разности потенциалов.