Режимы работы транзистора

Для анализа тех или иных транзисторных устройств, кроме знания величин и S, необходимо учитывать эквивалентную схему замещения транзистора. В эквивалентной схеме замещения наиболее существенных физических процессов определённого режима работы транзистора в данном устройстве находят отражение в виде некоторых активных и пассивных элементов как, например, генератора тока, ёмкостей и активных сопротивлений.

Эквивалентная схема, как правило, не учитывает всю совокупность физических свойств транзистора, а лишь только те из них, которые являются определяющими для данного режима работы и диапазона частот. Поэтому различаются эквивалентные схемы для усилительного режима, для режима переключения, низкочастотные, высокочастотные эквивалентные схемы и т. д.

Заключение

Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, предназначенный для использования в устройствах, осуществляющих генерацию и усиление электрических колебаний. Основой любого транзистора является кристаллическая пластинка полупроводника, в котором используются те или иные свойства полупроводникового материала и электронно – дырочных переходов, в результате чего представляется возможным с помощью слабых управляющих токов или напряжений получать более мощные электрические колебания требуемого вида.

Подобно тому, как существует большое множество разновидностей диодов, известно большое число видов и разновидностей транзисторов.

Транзисторы различаются по числу основных видов носителей заряда, используемых при работе прибора. Транзисторы, в которых используются оба вида носителей, дырки и электроны, называются биполярными. В зависимости от геометрической структуры размещения зон с различной проводимостью они могут быть прямой (p – n – p) или обратной проводимости (n – p – n). Транзисторы, у которых используется только один основной носитель заряда, например, только дырки или только электроны, называются полярными

Самыми известными и доступными являются биполярные транзисторы прямой (p – n – p) и обратной (n – p – n) проводимости. Менее известны и доступны полевые транзисторы с каналом p и n типа.

Библиографический список

1) Агаханян Т. М. Основы транзисторной электроники. – М.: Энергия, 1974.

2) Бергельсон И. Г., Минц В. И. Транзисторы биполярные. – М.: Сов. Радио, 1976.

3) Васильев В. А. Радиолюбителю о транзисторах. – М.: Досааф,1973.

4) Терещук Р. М., Терещук И. М., Седов С. А. Полупроводниковые приёмно усилительные устройство. Справочник радиолюбителю. Издание второе, стереотипное. – Киев: Наукова думка, 1982.

5) Транзисторы/ Под редакцией А. А. Чернышёва. – М.: Энергия, 1979