Автор работы: Пользователь скрыл имя, 06 Мая 2014 в 11:06, курсовая работа
Рассчитать схему усилителя на биполярном транзисторе с параметрами:
EГm =0,55В- максимальная амплитуда напряжения холостого хода источника входного сигнала;
RГm= 50Ом - внутреннее сопротивление источника входного сигнала;
Uнm=1,2В- максимальная амплитуда напряжения нагрузки;
Rн=1000Ом - сопротивление нагрузки;
fн=50Гц - нижняя частота усиления;
Mн=1,5 - коэффициент частотного искажения на частоте fн.
Раздел 1. Расчет усилителя напряжения на биполярном транзисторе
1.1 Исходное задание………………………………………………3
1.2 Схема усилителя напряжения. Назначение элементов и принцип работы………………………………………………………3
1.3 Расчет схемы…………………………………………..……….6
Раздел 2. Расчет схемы на операционном усилителе
2.1 Исходное задание…………………………………………….13
2.2 Схема устройства на ОУ. Назначение элементов и принцип работы………………………………………………………………..13
2.3 Расчет схемы………………………………………………….14
Раздел 3. Синтез логической функциональной схемы
3.1 Исходное задание……………………………………………..18
3.2 Минимизация функции……………………………………….18
3.3 Факторизация минимизированной функции………………...19
3.4 Построение функциональной схемы в булевом базисе…….20
3.5 Перевод схемы в универсальный базис………………………21
3.6 Построение схемы в универсальном базисе…………………21
Заключение……………………………………………………………………...22
Список литературы……………………………………………………………..23
Министерство сельского хозяйства РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Курсовая работа
по дисциплине: «Электроника»
на тему:
Расчет электронных устройств
Оглавление
Раздел |
|
Раздел |
|
Раздел |
|
Заключение…………………………………………………… Список литературы…………………………………………………… |
Рассчитать схему усилителя на биполярном транзисторе с параметрами:
EГm =0,55 В - максимальная амплитуда напряжения холостого хода источника входного сигнала;
RГm= 50 Ом - внутреннее сопротивление источника входного сигнала;
Uнm=1,2В - максимальная амплитуда напряжения нагрузки;
Rн=1000 Ом - сопротивление нагрузки;
fн=50 Гц - нижняя частота усиления;
Mн=1,5 - коэффициент частотного искажения на частоте fн .
Рисунок 1.1 –Схема усилителя напряжения
Назначение элементов схемы:
VT1 – управляемый биполярный транзистор, включен по схеме с общим эмиттером, работает в активном режиме;
Rб1 и Rб2 – делитель напряжения, цепь смещения начальной рабочей точки транзистора для обеспечения активного режима работы;
RН – эквивалент нагрузки усилителя;
Rк – нагрузочный резистор по постоянному току;
Rэ – резистор термо-стабилизации рабочей точки биполярного транзистора, создает отрицательную и обратную связь по току;
RГ и ЕГ – эквивалентные параметры источника усиливаемого сигнала.
С1 и С2 – разделительные конденсаторы, исключают взаимодействие усилителя с источником сигнала (нагрузкой) по постоянному току.
Рисунок 1.2 – Внешние характеристики
Принцип работы схемы
А) Uвх=0 – входной сигнал не подается, схема находится в состоянии покоя. R1 и R2 – формируют на базе начальное напряжение U0б,
Регулировка осуществляется R1. Переход база-эмиттер открыт, транзистор находится в активном режиме, протекают начальные токи Iоб, Ioк,
Ioк=В×Iоб
За счет тока Ioк на Rк происходит падение напряжения, поэтому на коллекторе транзистора начально напряжение меньше ,
Подбирая R1 его выводят на уровень
Постоянный ток с коллектора биполярного транзистора не может проходить на выход через С2 поэтому на выходе ток равен 0.
Б) Uвх>0
На выходе присутствует положительная полуволна усиливаемого сигнала. С1 для переменного сигнала считаем равным 0, поэтому все входное напряжение переходит на базу и воздействует на транзистор на фоне начального напряжения. Напряжение базы увеличивается, биполярный транзистор дополнительно приоткрывается. Токи базы и коллектора возрастают, напряжение коллектора уменьшается. Напряжение коллектора через С2 подается на вход, где формируется полуволна входного напряжения.
В) Uвх<0
Входное напряжение уменьшается, напряжение на базе уменьшается. Транзистор при закрывается, но остается в активном режиме. Токи базы и коллектора уменьшаются относительно начальных условий, напряжение коллектора увеличивается, на выходе положительная полуволна напряжения.
Как видно из диаграммы усилитель с общим эмиттером является инвертирующим (при положительной полуволне на входе, на выходе формируется отрицательная полуволна).
Усиление по напряжению достигается за счет усиления тока (Iб → Iк) и за счет большого сопротивления Rк и Rн через который протекает переменный ток коллектора.
(1.1) |
1.3.2 Расчет сопротивления резистора
коллекторной цепи транзистора, кОм
(1.2) |
где – коэффициент соотношения сопротивлений Rк и Rн
При Rн ≤ 1 кОм, то КR =1,2….1,5. Окончательно принимаем КR=1,5.
Ом
Выбираем из ряда Е24 Rк=2,4 кОм.
(1.3) |
(1.4) |
(1.5) |
где – коэффициент запаса (0,7…0,95)
принимаем =0,7 мА, что соответствует минимальным искажениям сигнала.
(1.6) |
где U0 – граничное напряжение коллектор-эмиттер между активным режимом и режимом насыщения.
Для транзисторов малой мощности U0=1 В.
1.3.7 Напряжение коллектор-эмиттер в начальной рабочей точке (точке покоя), В
Так как минимальное напряжение в точке покоя удовлетворяет условию < 5 В, следовательно, принимаем =5 В
(1.7) |
Округляем до ближайшего меньшего стандартного значения Rэ=0,33 кОм
(1.8) |
В
Выбираем = 14 В.
1.3.10 Выбор транзистора по предельным параметрам из условий
Uкэ max >EП = 14 В
Iк max >Iкп = 2,4 мА
Pк max >Iкп×EП=2,4×14=33,6 мВт
где Uкэ max – максимальное обратное постоянное напряжение коллектора-эмиттера; Iк max – максимальный постоянный ток коллектора; Pк max – максимальная мощность на коллекторе транзистора.
Используем транзистор КТ315Б со следующими параметрами:
h21э =50 - 350.
Uкэ max =0,4 В.
Iк max =100 мА.
Pк max =200 мВт.
Iко =1 мкА.
1.3.10 Определим ток базы покоя транзистора, мА
(1.9) |
1.3.11 Рассчитаем напряжение покоя базы –эмиттер, В.
Для этого используем относительное выражение для ВАХ эмиттерного перехода:
(1.10) |
Где – обратный ток перехода, m =1,2,3 –поправочный коэффициент, учитывающий не идеальность электронного перехода.
Для Uбэ>3mφТ = 150 мВ единицей можно пренебречь. Тогда с учетом зависимости
(1.11) |
можно получить
(1.12) |
где =26 мВ.
Напряжение может быть определено по входной характеристике транзистора для активного режима работы в схеме с ОЭ по значению .
1.3.12 Рассчитываем ток делителя цепи смещения, мА
(1.13) |
1.3.13 Рассчитаем сопротивления цепи смещения, кОм
(1.14) |
Выбираем
(1.15) |
Выбираем
1.3.15 Рассчитаем эквивалентное сопротивление цепи смещения, кОм
(1.16) |
1.3.16 Рассчитаем входное сопротивление усилителя, кОм
(1.17) |
где
(1.18) |
(1.19) |
1.3.17 Расчёт разделительных конденсаторов, мкФ
Принимаем вклады С1 и С2 в частотные искажения на частоте fН равными:
(1.20) |
тогда
(1.21) |
Выбираем
(1.22) |
Выбираем
1.3.18 Делаем проверку усилителя на соответствие заданному значению коэффициента усиления по напряжению КU. Используем для расчета действительного коэффициента усиления точную формулу:
(1.23) |
где
(1.24) |
отклонение
Так как значения и расходятся менее чем на 10%, то можно сделать вывод что расчет удовлетворяет заданию.
1.3.19 Режим по постоянному току:
= 11 В
|
(1.25) (1.26) (1.27) |
1.3.20 Проверка работоспособности схемы:
А) >
Активный режим транзистора выполняется;
Б)
Класс усиления А обеспечивается.
Параметры схемы:
Rб1 =53,4 кОм;
Rб2 =5 кОм;
Rэ =327 Ом;
Rк =2,5 кОм;
Rн=1000 Ом;
Rг =50 Ом;
С1 =1,23 мкФ;
С2 =1,29 мкФ;
VT1 – КТ315 Б.
1.3.20 Строим нагрузочные характеристики транзистора по постоянному и переменному токам.
Рисунок 1.3 – Нагрузочные характеристики транзистора КТ315Б
Рассчитать схему на операционном усилителе с параметрами:
– сопротивление эквивалентного генератора,
– коэффициент усиления по напряжению для первого источника,
– максимальная рабочая температура,
– динамический диапазон.
Рисунок 2.1 – Инвертирующий усилитель постоянного тока
Назначение элементов схемы:
DA1 – усиливающий элемент;
R1, – служат для получения требуемого коэффициента усиления по напряжению;
R2 -служит для компенсации ошибки ОУ, возникающей в результате протекания входного тока смещения ОУ через резисторы, подключенные к инвертирующему входу;